Keresés: - [Re:] ReRAM prototípussal állt elő az Elpida

Legfrissebb anyagok

Mobilarena témák

PROHARDVER! témák

IT café témák

GAMEPOD témák

LOGOUT témák

Keresés

Új hozzászólás Aktív témák

#54 dchard veterán polika #52

Új Válasz 2012-01-26 13:14:00 #54
Új hozzászólás
Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra
Privát üzenet küldése

dchard

veterán

válasz polika #52 üzenetére

Lemaradt a smiley az irónia meg nem ment át anélkül
A Science és a Nature a két legrangosabb folyóirat tudományos körökben szóval valószínűleg ott nem bullshitelnek.
A lényeg az, hogy ahogy a NAND memóriáknál is a régi 180nm-en gyártott 4Mbit-es modulk tényleg nagyságrendekkel többször újraírhatóak voltka, mint amikből ma SSD-t gyártanak, úgy figyelni kell itt is, hogy nem mindegy, milyen csíkszélességen milyen technológiával értek el a cikkben szerpelő számú újraírást. MOndjuk ha a cikkben szereplő értéket elosztom 1000-rel, még mindig elég jó értékeket kapunk.
Dchard
#51 dchard veterán polika #49

Új Válasz 2012-01-26 12:32:43 #51
Új hozzászólás
Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra
Privát üzenet küldése

dchard

veterán

válasz polika #49 üzenetére

Na ez már végre nem nélkülöz minden tudományos alapot.
Holnap elolvasom vizsga után, elöljáróban annyit, hogy:
"Én úgy tudom hogy az MLC flashnak ~100000 (10^5-en) az SLC flashnak kb 1 milla =10^6-on írás ciklusa élettartama van"
ezt nem jól tudod: az MLC chipek (már amiből SSD-t készítenek és 25-35nm-en készülnek) 4-5000 újraírást viselnek el blokkonként. AZ 50nm-esek még 10.000 viseltek el, és ahogy csökken a csíkszélesség egyre rosszabb lesz ez a NAND memóriáknál.
A lényeg az cikk alján van:
http://www.anandtech.com/show/5193/intel-and-micron-imft-announce-worlds-first-128gb-20nm-mlc-nand
Dchard
#48 dchard veterán ddekany #46

Új Válasz 2012-01-26 12:13:45 #48
Új hozzászólás
Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra
Privát üzenet küldése

dchard

veterán

válasz ddekany #46 üzenetére

Természetesen értem a poént, de pont az a szép az MRAM-ban, hogy a nem fáradó tulajdonság pont a technológiából fakad. Ahogy a NAND-ból sem tudnak akármilyen fejlesztéssel sem végtelenszer írható cuccot csinálni, úgy az MRAM-ot sem tudják úgy elsz@rni, hogy csak véges számú ciklust viseljen el.
Dchard
#43 dchard veterán Cefet #20

Új Válasz 2012-01-26 10:32:28 #43
Új hozzászólás
Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra
Privát üzenet küldése

dchard

veterán

válasz Cefet #20 üzenetére

Cefet:
Ha nem haragszol, akkor egy hírportálon szereplő cikket nem vennék készpénznek. Ha a HP oldalán lenne kint, akkor talán, de a megbízható forrás alatt valamilyen tudományos magazinban megjelenő cikkre gondoltam, például a Science magazinra.
Arról nem beszélve, hogy akkor megvan a trükk:
"1,000,000,000,000 read and write cycles without encountering data loss"
Ugye itt már írásról ÉS olvasásról együtt van szó, ez nem egészen ugyanaz, arról nem beszélve, hogy a "without encountering data loss" nem azt jelenti, hogy egyik cella sem öregedett el, maximum azt, hogy a hibajavító eljárással együtt ez lett az eredmény, bár egyébként még így sem nagyon hihető a kimenet. Többek között ez a különbség a bulvár és a tudományos újságírás között: az egyikben vakítanak és félreértelmezhetően fogalmaznak, a másikban viszont kísérlet nélkül semmi sem kerülhet, és ott a kutatók a nevüket adják a munkához, amiről ha kiderül hogy kacsa, az életben nem kapnak munkát.
polika:
Ez nem véletlen, nyilván olyasmit akarnak gyártani, ami ugyamúgy tönkremegy egy idő után mint a nand. Kinek lenne érdeke olyasmit gyártani, mint az MRAM ami soha nem megy tönkre? Nem ez az első eset a törénelemben amikor gazdasági érdekek miatt a gyengébb technológia győz.
Dchard
#12 dchard veterán Cefet #11

Új Válasz 2012-01-25 17:14:43 #12
Új hozzászólás
Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra
Privát üzenet küldése

dchard

veterán

válasz Cefet #11 üzenetére

A linkelt hozzászólásodban reagálnék erre:
"Ha jól emlékszem akkor a HP-nál tesztelték, és 1000 milliárd újraírási ciklust is kibírt adatvesztés nélkül!"
Ha tudsz linkelni ehhez megbízható forrást, akkor megemelem a kalapom.
A cikkben szereplő "NANDhoz képest 10x" kijelentés ezzel köszönő viszonyban sincs, elég sok nagyságrend a különbség, hogy finom legyek.
Hozzáteszem: szerintem ennyi újraírást a DRAM sem tud, előbb rohad szét körülötte a tokozás meg a forrasztások, minthogy 1000 milliárd újraírási ciklust le tudj tolni rajta.
Dchard
#10 dchard veterán Pug #9

Új Válasz 2012-01-25 17:08:18 #10
Új hozzászólás
Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra
Privát üzenet küldése

dchard

veterán

válasz Pug #9 üzenetére

Ott az igazság, pontosan erről van szó:
RAM-nak nem jó, mert a rengeteg írás tönkreteszi.
Háttértárnak meg túl drága és kicsi a kapacitása.
Ha az elviselhető írások számát fel tudnák nyomni a 10-es szorzó helyett 20-30-szorosra, és képesek lennének 32nm-en 8, esetleg 16gbites lapkákat gyártani, akkor lesz majd ez versenyképes, de akkor is csak háttértárnak: ahhoz hogy ebből RAM legyen, nagyságrendekkel kéne növelni az írási ciklusok számát amire nincs reális esély a technológia működéséből fakadóan.
Arról nem beszélve, hogy pontosan melyik NAND típushoz képest számolták a 10x szorzót az írások tekintetében? A 25nm-es nand lapkákhoz képest a 10x például nem valami sok, és ez egyre csak rosszabb lesz ahogy haladunk lefelé.
Dchard