Új hozzászólás Aktív témák

• #97954 ekkold Topikgazda tordaitibi #97616

  Új Válasz 2024-11-24 18:41:05 #97954

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  ekkold

  Topikgazda

  válasz tordaitibi #97616 üzenetére

  Sikerült végül beindítani a dc/dc konvertert?

• #97620 ekkold Topikgazda tordaitibi #97616

  Új Válasz 2024-11-04 09:49:18 #97620

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  ekkold

  Topikgazda

  válasz tordaitibi #97616 üzenetére

  100nF bootstrap kondi is simán elegendő. Az alapján méretezhető, hogy a FET gate töltését megnézed az adatlapján. Ebből kiszámolható, hogy hogy a felső fet bekacsolásakor mennyit fog esni a kondi feszültsége.
  Pl.
  IRF3205 -> Qgt = 146nC (valamivel pontosabb ha a grafikonról nézed ki a gate fesz függvényében - de nagyságrendileg jó eredményt kapsz így is)
  C = 100nF
  U = Q/C -> 1,46V
  Azaz ha mondjuk 12V a bootstrap kondi feszültsége, akkor a FET kinyitásakor 10,54V-ra esik vissza. Annyiban kicsit rosszabb a helyzet, hogy az IC-nek is van minimális fogyasztása a bootstrap-ról (max 130µA adatlap szerint) ami további feszültségesést okoz. Ez 100kHz esetén kb. 5µs idő (félperiódus), ami mindössze
  U = 5µs * 130µA / 100nF = 6,5mV tehát jelentéktelen. Alacsonyabb frekvencián ez kb. arányosan több lenne.
  Ami viszont számít hogy a kondi ESR-je nagyon kicsi legyen, különben nem lehet kivenni belőle rövid idő alatt egy gyors impulzusnyi áramot - tehát SMD kerámia kondi ajánlott, vagy fóliakondi. Egy elkó ebben a pozicióban kb. semmit sem ér. Ha kevésnek érzed a 100nF-ot akkor tegyél be 220nF-ot (kb. 700mV-ot esik), 1µF fölé nem vinném a kapacitást, felesleges (és fel is kell tudni tölteni a másik félperiódusban).

Új hozzászólás Aktív témák