Keresés

Aktív témák

  • emvy

    félisten

    válasz DonLeo #8 üzenetére

    A szilíciumot legtöbbször a földben nagy mennyiségben megtalálható szilícium-dioxidból (SiO2, = homok) nyerik. A félvezetők sávszerkezete megegyezik a szigetelőkével, de a tiltott sávjuk keskenyebb. Azaz 0 K esetén a félvezetők szigetelők. Nagyobb hőmérsékleten a termikus aktiválás hatására az elektronok egy része a vegyértéksávról a vezetősávba kerül, így vezetik az áramot. Minél nagyobb a hőmérséklet, annál jobban vezet, csökken az ellenállás. Szennyezéssel (bór, arzén, gallium, foszfor, stb.) többletelektronokat vagy elektronhiányokat viszel be a rácsba, ezért vagy könnyen delokalizálható elektronokat, vagy -||- lyukakat kapsz. A két típusú félvezetőt egymás mellé rakva olyan anyagot kapsz, ahol a lyuktöbblet-elektrontöbblet egymás mellett ún. p-n átmenetet képez, diffúzió alakul ki, a lyuktöbblet és az elektronoktöbblet miatt. Feszültséget kapcsolva az anyagra, a pn-átmenet a legnagyobb ellenállású rész (sarkítva természetesen), kondenzátorszerű, így a pn-átmenetre eső feszültség megbontja a diffúzió egyensúlyát, vagy segíti az áramvezetést, vagy gátolja. (nem részletezem). Kis kombinálással létre lehet hozni pnp vagy npn felépítésű anyagokat, ahol a középső, gate-nek nevezett részre feszültséget kapcsolva változtathatod az elem áteresztőképességét. (természetesen a megfelelő polaritású feszültséggel) Tehát ha gate=1, akkor a tranzisztor ereszt, ha 0, akkor zár. Ebből létre lehet hozni a logikai kapukat (ÉS, VAGY, stb.), tehát a chipeket is.
    Ezért olyan lényeges találmány.

    (egyébiránt elvileg az elektroncsövekkel is müxik a dolog.) (csak lassabban, és megbízhatatlanabbul.)

Aktív témák