- Sony Xperia 1 VII - Látod-e, esteledik
- Honor Magic V5 - méret a kamera mögött
- Samsung Galaxy Z Fold7 - ezt vártuk, de…
- Yettel topik
- iPhone topik
- Telekom mobilszolgáltatások
- Milyen okostelefont vegyek?
- Honor Magic6 Pro - kör közepén számok
- iPhone 16e - ellenvetésem lenne
- Android alkalmazások - szoftver kibeszélő topik
Aktív témák
-
b.bone
senior tag
amugy az egésznek a lényege hogy ez a zökkenőmentes átállás a 90nm-re nagyrészben a 3 említett cégtől függ. ugyhogy nekik kell drukkolni.:)
-
b.bone
senior tag
kicsit talán off de: (ugy a #45 körüli hozzászólásokhoz fűzném)
nem emlékszem konkrétumokra. azért megpróbálom visszaadni valahogy. lehet csak nekem új a dolog ,de szerintem érdekes.
Ugyebár a chipek annál gyorsabbak és teljesítményképesebbek minél kisebb a struktúrájuk azonos felületen. Ezt a sturktúrát az un maszkról vetítik át a siliciumwaver-re lézerfény segítségével. Az egésznek a fizikai alapelve hogy minél kisebb a felhasznált fény hullámhossza ,annál kisebb a struktúra amit elő lehet állítani vele.
Két cég fejleszt ezen a téren. A Lambda Physik és a Phillips Extrem Uv. Mint a második nevéből kiderül manapság már Uv fénnyel oldják meg a feladatot. Egészen pontosan un. excimerlaser-ekkel amik az UV tarományban dolgoznak. Ezeket az excimerlaser-eket adják el a félvezető iparnak ahol beépítík őket egy hatalmas dia-projektorhoz hasonló automatába. Régebben higanygőz lámpák voltak ezekben az automatákban. A félvezető ipar a 90-es évek végefelé állt át az UV-Excimer-Laser ekre. Azok még 248 Nanométres tartományban dolgoztak ,persze hamar letüntek. manapság a 193 nanométeres tarományban müködnek ezek a lézerek.
Mostanság fejlesztik az új generációs lézereket amik már 157 nanométeres hullámhosszú fénnyt állítanak elő. Minél kisebb a hullámhossz annál problematikusabb is ezeknek a fejlesztése. 200 nanométer alatti tartományt Vákum tartománynak nevezik mivel az ennél rövidebb lambdáju UV-t egyszerűen elnyeli a közönséges levegő. Ez a gyakorlatban ahoz vezet hogy az uj excimerek vagy tiszta széndiokszodban vagy vákumban müködnek csak. Ami a másik bökkenő hogy a sima üveg ugyszintén elnyeli. (ugye optika ide is kell)
Itt a Carl Zeiss dolgozik nagy erőkkel. Ezt nem fejtem ki annyira, De egy két érdekességet leírok: Még ebben a nano méter tartományban is muszály hogy a lencséknek a felülete pontosan struktúrált legyen. Minél rövidebb a hullámhossz annál kisebbeknek kell lenniük a lencse felületén lévő 'mintáknak'. Minél pontatlanabb a lencse struktúrája annál fatálisabb a hiba a siliciumra való vetítésnél. A 193-nanométeres objektiveknél a struktúrák (talán koncentrikus körök) szélessége 70 milliomod milliméter. Ha belegondolunk hogy két atom közötti távolság 0.3 nanométer akkor ez azt jelenti hogy a computerchipek egyedi struktúrája már csak 200 atom. És további kicsinyítéseket már terveznek.
Tehát a ''nagy'' AMD meg Intel ,a távolkelet és a szlikon völgy sehova nem jut a jó öreg európa nélkül.
Amugy mégis csak vannak benne konkrétumok. Egyszerű hogy mért. Megtaláltam az anyagot a neten és tulajdonképpen fordítottam.
[L]http://www.3sat.de/hitec.html[/L]
németül van. ha van hiba és valaki észreveszi lehet javítani.
na üdv:bb -
Még annyit tennék hozzá hogy szerver alaplapokban elterjedt.
pl. vezérlőkártyák is lehetnek ilyenek
Így néz ki:
[L]http://www.tech-report.com/reviews/2003q2/tyan-trinitygcsl/index.x?pg=2[/L] -
HiperG
addikt
Nem..
A PCI Expresst az Intel erőlteti az ATi meg az nVidia meg jó kutyaként tapsol neki...
Ez egy új foglalat ami leváltja a PCI-t lesz egy x16-os PCI Express a VGA-nak, meg x1-es a többi cumónak...
Szal ha nem akarod kukába tenni az alaplapod 1 év után akkor várd meg a PCI Expresst.. -
L3zl13
nagyúr
Sajnos ez a lehetőség fennáll. Ha kidobnak egy kompatibilis 64 bites támogatást (vagy licenszelik az AMD-től) akkor az AMD ugyanoda jut, mint azt Athlonnal. Azaz hiába tud ugyanannyit még mindig az Intel az ''igazi'' procigyártó és az ő termékéért hajlandóak többet is adni az emberek.
Ha viszont egy inkompatibilis 64 bites támogatást dob piacra az Intel mielőtt az AMD megfelelő részesedést tudna szerezni a piacon, akkor még rosszabb a helyzet, mert a szoftvergyártók elsősorban a nagyobb piacra fognak fejleszteni, és maximum másodsorban az AMD-re.
Ha sikerül jelentős (nem feltétlenül többségi) részesedést szereznie a piacon az AMD-nek, akkor valószinűleg a nagy (és őket követve a kissebb) szoftvercégek mindkét támogatást beleteszik majd a szoftvereikbe. -
Szerintem úgy lesz a Tejas 65 mint ahogy a Prescott 90. Előbb-utóbb. :)
Kezdetben 99% hogy kilencvennel indítják, az Intel tudtommal sosem váltott egyszerre modellt és csíkszélességet is. Később... később meglátjuk.
((( De engem az jobban foglalkoztat, hogy Parishoz jók lesznek-e még az NF2-es deszkák... ))) -
Akik ennyire üdvrivalganak a szerverpiaci terjeszkedés miatt, szerintem gondolkozzanak el pl. ezen:
[L]http://www.overclockers.com/articles866/index03.asp[/L]
''Have you ever tried to keep an inverted pyramid standing up?'' -
L3zl13
nagyúr
Szerintem akkor befigyelne egy kis antitröszt per neki. :))
De szerintem nem venné meg akkor sem. Már most is látszik egy csomó előnye az a64 architektűrának az itaniummal szemben (könnyebb átállás, olcsóbb stb), szóval már most is megérné megvennie, és a rengeteg gyárával és piaci fölényével pillanatok alatt nyereségesre hozhatná fel, de ez ugyanakkor olyan nagy presztizsveszteség lenne, hogy ihaj. :)
Szerintem az Intel inkább kiböjtöl egy architektúrányi időt gyengélkedve valamelyik szegmensben, minthogy megvegye az AMD-t vagy az architektúrát. -
-
HiperG
addikt
''Az AMD Silicon-On-Insulator (SOI) technológiája megkímélheti a társaságot azoktól a problémáktól, amelyek a rivális Intelt sújtották a 90 nm-es csíkszélességre való átállás során, állítja egy szakértő.
Az American Technology Research (ATR) elemzője, Rick Whittington úgy véli, a processzorgyáró AMD előtt ígéretes jövő áll, így a cég részvényei értékesek lehetnek a befektetők számára. A szakértő állítása szerint az Advanced Micro Device (AMD) olyan jól halad a 90 nm-es csíkszélességű processzogyártási eljárás bevezetésével, hogy a technológia várhatóan jóval a tervezett határidő előtt készen fog állni a tömegtermelésre.
Whittington állítását többek között arra a tényre építette, hogy a 90 nm-es Opteron prototípusok semmilyen extra hűtést nem igényelnek, és az alaplapot sem kellett módosítani ahhoz, hogy kifogástalanul működjenek. Ez a szakértő szerint egyértelműen arra utal, hogy az eljárás lassan kiforrottá, tömegtermelésre éretté válik. Szintén ezt támasztja alá az is, hogy a 2,2, illetve 2,4 GHz-es, 90 nm-es Opteron chipek alig 45 wattot fogyasztanak, amely jóval a korábban megadott 70 wattos adat alatt marad.
A chip felépítése: legalul a szilicíumlemez (kék), rajta oxidréteg (zöld), amit a SOI réteg (kék) választ el a tranzisztortól (sárga)
Az Intel 90 nm-es Prescott chipjei ezzel szemben 90 - 100 wattot fogyasztanak, amely még a jóval magasabb órajel ellenére is meglehetősen sok. Whittington szerint a 45 wattos fogyasztás arra enged következtetni, hogy a 90 nm-es Opteron chipek akár 3 - 4 GHz-es órajelig felgyorsíthatók jelentősebb módosítás nélkül, miközben a fogyasztás még így sem éri majd el a 90 wattot.
- A pengeszerverek gyártói imádni fogják az új, 90 nm-es Opteron chipeket - mondta az elemző hozzátéve, hogy a chip integrált Northbridge modulja tovább csökkenti a rendszer fogyasztását. Whittington szerint az AMD a társaság ütemtervében szereplő 2004 második féléve helyett már valamikor a jövő év első felében ki fogja adni a 90 nm-es Opteron chipeket. Ez pedig a nagyobb órajel mellett alacsonyabb előállítási költség elérését is lehetővé teszi.
A szakértő szerint az AMD mostani sikerei többek között a SOI (Silicon On Indulator - Szilícium a szigetelőn) eljárásnak köszönhetők, amely jelentősen lecsökkenti a chipen belüli áramszivárgást, amely a 90 nm-es technológia esetében már komoly problémákat vet fel, és drasztikusan növeli a fogyasztást, illetve a hőtermelést.
Az Intel Prescott esetében a szakértők éppen azért voltak kénytelenek megemelni a processzormag tápfeszültségét, mert a 90 nm-es tranzisztorok már jelentős mértékű áramot engedtek átszivárogni a rendkívül vékony szigetelő rétegeken. Ez a két tényező együtt azonban meglehetősen magas fogyasztást eredményez.''
[forrás: SG] -
hunluigi
senior tag
Huh!! Hasonló vitadélutánt gyakrabban is elkövethetnétek. Élmény volt a fenti hozzászólásokat olvasni :C
-
pip
aktív tag
Van nehany kerdesre valaszom, bar lehet, hogy hibasak. Hiaba, reg tanultam a sziliciumrol, felejtettem is meg sok minden valtozhatott is azota. Szoval:
miert szilicium, miert nem ezust? Azt hiszem azert, mert a szilicium felvezetonek nevezett csoportba esik, erre van szukseg az np atmenetek kialakitasahoz, ha minden igaz a prociban tranzisztorok kellenek.
miert rud alaku? Szukseges a tisztitashoz. A sziliciumot ketfelekepen tisztitjak, ugyanis a szamitastechnikaban hasznalt Si az un. tizenketkilences Si (azert ne kovezettek meg ha rosszul emlekeznek) ami annyit tesz, hogy 99.99.... % (pont utan 12 db 9-es) tisztasagu. A tisztitas egy lepese, hogy klorozassal folyekony allapotba viszik a sziliciumot, ami desztillalhato, majd ismet visszanyerik belole a sziliciumot, szennyezodesektol mentesen. Masik lepes a zonalis olvasztas, a rudat egy nagyon forro sikon toljak at lassan, a szennyezodesek mindig az eppen olvadt reszbe diffundalnak, tehat a rud vege fele vandorolnak. Ezt egyszeruen levagjak, majd a rudat ujra ''attoljak a melegen'', esigytovabb amig eleg tiszta nem lesz. -
erdoke
titán
válasz
Satan-Claus #38 üzenetére
Nekem az is elég, ha tudsz egy linket, ahol magyarul vagy angolul lehet erről olvasni. Értelmes laikusnak tartom magam...:D
-
Satan-Claus
senior tag
Hááááát én jó régen tanultam ilyesmit, de ha jól emlékszem akkor rétegenként egy előre legyártott maszk segítségével gyakorlatilag egymásra ''párologtatják'' a rétegeket. Viszont ez azt hiszem ellentétes metódus az eddig leírtakkal szemben, ezért lehet, hogy világ nagy baromság....
-
Edizon
csendes tag
Azok az olvadáspontok a tiszta anyagokra, igazak, ha egymással találkoznak akkor igen csak megváltozhatnak, lehet hogy eutektukumot, vagy egyéb eltérő olvasádpontú olvadékot képez az ezüst a Si-al.
Meg kéne nézni a Si-Ag rendszer fázisdiagrammját, és összehasonlítani a Si-Cu fázisdiagrammjával. Akkor talán megkapnánk a válaszokat, miért a rezet választottlák. -
válasz
Satan-Claus #33 üzenetére
Kösz, végre valaki egy kis mosolyt csempészett ebbe a búvalb...élelt napba. :)
-
Keitaro
addikt
Az ilyen háttér anyagokat szoktam hiányolni. Ritka itt manapság sajna.
Gratulálok csak így tovább, én nagyon érdekesnek találom! :C -
HiperG
addikt
Si olvadáspontja 1410 °C
Cu olvadáspontja 1093 °C
Ag olvadáspontja 960,8 °C -
tocsa
senior tag
Hat azt tudom.
Ezust: talan a racsallando/racsszerkezete miatt nem tud jol kapcsolodni valamelyik masik vezetekhez vagy poliszilikáthoz. Vagy technologiailag nehezebb megoldani a a rajzolatok eloallitasat. Pl nagyobb homersekletre lenne szukseg, es emiatt az egesz addig kialakitott struktura minosege romlana a diffundalashoz. De inkabb nem mondok semmit, nehogy butasag legyen. Nemtom.
Aluminiumnak joval alacsonyabb az olvadaspontja, konnyebb megmunkalni. Az ezust jo katalizator? Mert akkor lehet, hogy az van, hogy konnyebben szennyezodik, nehezebb megtisztani. Ez alapvetoen nem lenne akkora baj, inkabb az a veszelyes benne, hogy nehogy szennyezze a sziliciumot. Bar a poliszilkát az takar. Na mind1, nemtom. -
tocsa
senior tag
Az utolsó bekezdésed: nem pontos. Ugyanis nem mindegyik vezető réteg fém. Vannak poliszilícium és egyéb vezető rétegek is. Ezeknek egy része a növesztési eljárás alatt, nem kis hőmérsékleten áll elő. A vezető anyaga szerint mindegyiknek a kapacitása, ellenállása más és más.
És akor még nem beszéltünk arról, hogy hogy áll elő a chip terve, amit létre kell hozni. _Baromi_ nagy komplexitásúak a huzalozó algoritmusok. Figyelembe kell venniük minden tulajdonságot, minden megszorító feltételt. Bőven NP-nehéz. Még heurisztikákkal is is elég komplex.
Egy szó mint száz: a vezetékrétegek számának növelése _KURVÁRA_ nem egyszerű. Ha ez így lenne, akkor már minden chipnél 30 vezetőréteg lenne és nem lenne gond a huzalozás. Az az egyik legnagyobb probléma a tervezésnél. -
HiperG
addikt
Előre! ;]
-
tocsa
senior tag
És itt a _Mester_.
Valaki jól tippelte, hogy a rúd alak összefüggésben van azzal, hogy a szilicium egykristály. Vagyis a szerkezete nem bomlik doménekre, mint természetes esetben, vagyis olyan egységekre, amelyeken belül nem változik meg a kristályrács irányítottsága. A szilícium rúdban még vonalhibák sincsenek. Legfeljebb ponthibák vannak.
Szóval úgy érik el az egykristályságot, hogy ott van a megolvadt szilícium egy kvarc kádban. Beleérintenek egy rudat, majd azt elkezdik kihúzni az olvadékból, miközben forgatják. A húzás pontosan olyan sebességű, amilyen gyorsan a szilícium növekedni tud. Az olvadék tömege picit az olvadáspont alatt van, tehát bármely pici porszem vagy esetleg földrengés hatása is végzetes lenne: kikristályosodna az egész olvadék. A rúd külselye egyébként nem sima, hanem koncentrikus minta van rajta (szintén a körbeforgatásból adódik). Ha növelik a húzás sebességét picit, akkor a rúd elvékonyodik, ha újra visszacsökkentik a növekedési sebesség alá, akkor újra kiszélesedik. A rúd olyan, mint egy baromi nagy szalámi. A szalámi legelején van egy ilyen elvékonyodás. Ez azért van, mert a legfölső pukliban még vannak vonalhibák, de az elvékonyodás miatt, azok már nem jutnak le a szalámi pukli alatti részébe. A pukli a legtetjén van a szaláminak, ami lóg annál a ródnál fogva, amit a folyamat elején beleérintettek az olvadékba.
Mindez a folyamat (a húzás és forgatás) nagyon lassú. Már a szilícum olvadáspontja is elég extrém körülményeket jelent, de a légtér tisztasága is extrém, illetve maga a szilícium olvadéknak is hihetetlenül tisztának kell lenni, különösen bizonyos szennyező anyagok tekintetében. (Ezért is hihetetlen számomra a Cu vezetékezés a chipekben, mert a Cu jó vezető, de ha az szennyezi a Si-ot, akkor azt ki lehet dobni. Márpedig diffúzió mindig van).
Azt nem tudom, hogy gyémánt fűrésszel vágják-e el ma is, de lehet hogy ma már lézerrel szeletelik le a szalámiból a wafer-eket. Ez a művelet is nagyon kényes mert a vágásnak nem szabad szétrombolnia a wafer felületén az egykristály szerkezetet.
Még nagyon sokat mesélhetnék.
Szerintem a chipgyártás az egy csoda.
Alice in wonderland. -
poci76
aktív tag
A wafer magyarul szelet, és azt a 20 (újabban az Intelnél 30) cm átmérőjű szilícium korongot jelenti, amelyen az áramköröket létrehozzák. Azért szelet, mert egy hosszó rúdból vágják le gyémántfűrésszel. Kör alakú, de egy vagy két oldalán le van csapva belőle egy darab. Így jelzik, hogy a szilícium kristály milyen irányban lett felszeletelve.
Ezen a szeleten hozzák létre a chipeket. A chipek úgy helyezkednek el, mint egy négyzetrácsos lapon a négyzetek (bár pl. a Barton inkább francia kockás lapra emlékeztet:)). A gyártés végén felszeletelik a wafer-t, és az egyes chipeket tokozzák (szeletelés előtt és tokozás után azért még tesztelik is, hogy jól működnek-e az áramkörök). -
HSNet
aktív tag
OFF
NE húzd már le szerncsétlen embert, ő legalább ontopic hozzásólást postolt, mellesleg igaza is volt vele...
Nem kellene elfelejteni, hogy elvileg ez egy szakmai fórum, aminek nem arról kéne szólnia, hogy flamewar, iqblaster topicok, és ''taníts minket mester'' hozzászólások.
rEpSeCt
ON -
poci76
aktív tag
:F ''A K8 a 90 nm-es gyártás során 9-rétegből épül fel'' :F
Ez a félmondat röviden és velősen szólva úgy hülyeség, ahogy van, ugyanis a K8 legalább 40 rétegbőt épül fel, amennyiben a réteget úgy definiáljuk, mint homogén anyagból álló vékony, összefüggő sík felület. Amennyiben atomi rétegekről beszélünk, a rétegek száma több ezer.
Amennyiben az integrált áramkört két részre osztjuk tranzisztorra és vezetékezésre, akkor elmondhatjuk, hogy a tranzisztorok mindig egy rétegben helyezkedtek el, és mindig is egy rétegben fognak elhelyezkedni. Ennek az az oka, hogy a technológia olyan bonyolult, hogy több tranzisztorréteg esetén a selejtarány nagyságrendekkel megnőne, vagyis olcsóbb egy tranzisztorréteggel negy chipet gyártani, mint több réteggel kicsit.
A másik pedig a vezetékrétegek száma: ahogy az illusztráción is látható, a K8 esetében pontosan erről van szó: 9 vezetékréteggel készülnek majd. A vezetékrétegek számának növelése viszonylag egyszerű, mivel alacsony hőmérsékleten zajlik, tehát nem befolyásolja a tranzisztorok paramétereit. Hártánya, hogy a több vezetékréteg nagyobb villamos kapacitást (és induktivitást) képvisel, ami csökkenti az elérhető maximális órajelet, és növeli a fogyasztást. Ez a hatás azonban kompenzálható alacsony dielektromos állandójú szigetelőréteg (low-k dielektrikum) alakalmazásával a vezetékrétegek között. -
XeeN
senior tag
Csak így tovább! :)
-
fanatic
aktív tag
Alig várom, hogy 30 körül legyen az ára!!!
-
L3zl13
nagyúr
Az ember azt gondolná, hogy egyszerűbb/olcsóbb átállni nagyobb waferekre, mint kissebb csíkszélességre. Ők mégis beindították a 90 nm és a 30cm-es wafereket pedig csak 2006-ra igérték...
Remélem minél zökkenőmentesebb lesz az átállás 90 nm-re, mert akkor végre olcsóbban nagyobb mennyiséget nyomathatnak majd az Athlon64-ből. :))
Aktív témák
Hirdetés
- Intel Core i9-13900 24-Core 3.0GHz LGA1700 (36M Cache, up to 5.60 GHz) Processzor!
- Intel Core i7-10700 8-Core 2.9GHz LGA1200 (16M Cache, up to 4.80 GHz) Processzor!
- Intel Core i5 3470 confidential Ivy bridge Quad Core
- AKCIÓ! Intel Core i9 14900K 24 mag 32 szál processzor garanciával hibátlan működéssel
- Intel I3-9100F
- BESZÁMÍTÁS! Apple iPhone 16 Pro MAX 256GB okostelefon garanciával hibátlan működéssel
- Eredeti Lenovo 300W töltők - ADL300SDC3A
- Okosóra felvásárlás!! Samsung Galaxy Watch 5 Pro, Samsung Galaxy Watch 6 Classic
- BESZÁMÍTÁS! MSI B450M R5 3600 16GB DDR4 512GB SSD GTX 1080 8GB Rampage SHIVA ADATA 600W
- Azonnali készpénzes GAMER / üzleti notebook felvásárlás személyesen / csomagküldéssel korrekt áron
Állásajánlatok
Cég: FOTC
Város: Budapest