Új hozzászólás Aktív témák

• #31 #25583896 törölt tag mekker #28

  Új Válasz 2014-08-24 01:06:43 #31

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  

  #25583896

  törölt tag

  válasz mekker #28 üzenetére

  Valószínűleg a kolléga arra gondolt, hogy DDR2 óta van a memóriáknak egy belső órajele a DRAM parancsok átvételéhez, belső működés vezérléséhez (ez kb. 200 Mhz), és egy külső órajel az adatátvitelhez.
  Pl. egy DDR3-1600 RAM-nak a belső órajele 200MHz, a külső 800MHz, az 1600 úgy jön ki, hogy a külső órajel fel- és lefutó élénél is van adatátvitel.
  Továbbá a memórián elhelyezkedő DRAM chip több ún. bankból áll. Egy ilyen bank tulajdonképpen sok mem. cella mátrixba rendezve és ilyen tárolómezőkből kerül pl. DDR3 esetén 8 db egy lapkába. Szemléletesen:
  

  A több bank miatt gyorsabb lehet a memória, mert egyszerre mindegyikben nyitva lehet egy sor, a késleltetések pedig átlapolhatók. Tehát amíg bank0-ban hozzáférünk egy cellához, addig meg lehet címezni a másik bankban lévő cellát (ami ugyanúgy késleltetéssel jár, de mire végeztünk az előzővel, már várakozás nélkül elérhető):
  

  A DDR4 a bankok számát növelte 16-ra, viszont a burst hossz 8 maradt. (A burst hossz azt adja meg, hogy hány memóriacellányi adatot visz át egyszerre - pontosabban hogy hány adatot visz át ugyanabból a sorból egymás után úgy, hogy nem kell megvárni mindegyiknél a CAS latency-t.)
  Tehát a DDR4 a magasabb órajel és a chipenkénti több bank miatt lehet gyorsabb, mint a DDR3.
  A magasabb késleltetéseknek pedig főleg az órajel növelése az oka (semmi köze a bankok számához vagy a burst hosszhoz), előző hsz-emben már kifejtettem, miért.

  Végül egy kis összefoglaló:
  

Új hozzászólás Aktív témák