Hirdetés

  2. Fórumok
  3. Alaplapok, chipsetek, memóriák
  4. A G.Skill is készült DDR4-es memóriákkal
Keresés

Új hozzászólás Aktív témák

  • #31 #25583896 törölt tag mekker #28
    Új Válasz #31
    Új hozzászólás
    Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

    #25583896

    törölt tag

    válasz mekker #28 üzenetére

    Valószínűleg a kolléga arra gondolt, hogy DDR2 óta van a memóriáknak egy belső órajele a DRAM parancsok átvételéhez, belső működés vezérléséhez (ez kb. 200 Mhz), és egy külső órajel az adatátvitelhez.
    Pl. egy DDR3-1600 RAM-nak a belső órajele 200MHz, a külső 800MHz, az 1600 úgy jön ki, hogy a külső órajel fel- és lefutó élénél is van adatátvitel.
    Továbbá a memórián elhelyezkedő DRAM chip több ún. bankból áll. Egy ilyen bank tulajdonképpen sok mem. cella mátrixba rendezve és ilyen tárolómezőkből kerül pl. DDR3 esetén 8 db egy lapkába. Szemléletesen:

    A több bank miatt gyorsabb lehet a memória, mert egyszerre mindegyikben nyitva lehet egy sor, a késleltetések pedig átlapolhatók. Tehát amíg bank0-ban hozzáférünk egy cellához, addig meg lehet címezni a másik bankban lévő cellát (ami ugyanúgy késleltetéssel jár, de mire végeztünk az előzővel, már várakozás nélkül elérhető):

    A DDR4 a bankok számát növelte 16-ra, viszont a burst hossz 8 maradt. (A burst hossz azt adja meg, hogy hány memóriacellányi adatot visz át egyszerre - pontosabban hogy hány adatot visz át ugyanabból a sorból egymás után úgy, hogy nem kell megvárni mindegyiknél a CAS latency-t.)
    Tehát a DDR4 a magasabb órajel és a chipenkénti több bank miatt lehet gyorsabb, mint a DDR3.
    A magasabb késleltetéseknek pedig főleg az órajel növelése az oka (semmi köze a bankok számához vagy a burst hosszhoz), előző hsz-emben már kifejtettem, miért.

    Végül egy kis összefoglaló:

  • #21 #25583896 törölt tag
    Új Válasz #21
    Új hozzászólás
    Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

    #25583896

    törölt tag

    Látom többen megjegyezték, hogy elég magasak a CL értékek... Na akkor most tisztázzunk pár dolgot:
    Nem azért lett több, mert úgy gondolták, hogy egyelőre jó lesz így is, hanem mert ekkora órajelnél egyszerűen nem lehet megoldani kevesebb ciklusból a sormegnyitást, oszlop kiválasztást, stb.
    Ha megnézzük a DDR1-2-3-4 esetében a késleltetéseket, akkor általánosságban igaz, hogy az újabb változatra nagyobb CL jellemző, ugyanis magasabb órajelen u.a. művelet végrehajtása több ciklust vesz igénybe. Ha mondjuk egy memóriacella esetében a fizikai tulajdonságaiból adódóan két művelet között el kell telnie x ns-nak, akkor mivel nagyobb órajelnél kisebb a ciklusidő, több ciklus kell ugyanannyi ns várakozáshoz.
    Ami miatt mégis megéri az órajelet növelni (most még), az az, hogy ha a memória egy sorában kiválasztunk egy cellát, akkor valószínűleg az egész sor kiolvasásra kerül. Ebben az esetben viszont nincs késleltetés (mármint a sorban a többi cella elérésekor), minden órajelre adatátvitel történik, tehát ilyenkor az órajel a meghatározó. Előbb-utóbb persze eljöhet az, hogy olyan nagy lesz a késleltetés, ami mellett hiába növelnék az órajelet, az adatátvitel nem lesz gyorsabb. Egyelőre azonban úgy tűnik, még van tovább :)
    szerk.: persze az nem zárható ki, hogy később gyártsanak DDR4-et kisebb késleltetéssel is ugyanazon órajel mellett, de átlagban magasabb értékek várhatók, mint DDR3-nál, a fent leírtak miatt.

Új hozzászólás Aktív témák