Hirdetés
- Samsung Galaxy A52s 5G - jó S-tehetség
- iPhone topik
- Sony Xperia 1 V - kizárólag igényeseknek
- Yettel topik
- Google Pixel 8a - kis telefon kis késéssel
- Apple Watch Sport - ez is csak egy okosóra
- Vékony készülékházba nem fér a SIM-kártya?
- Érintésnélküli fizetési megoldások - PayPass via NFC
- Mobil flották
- Samsung Galaxy S23 Ultra - non plus ultra
-
Mobilarena
Ez itt, az elektronikával hobbiból foglakozók fórumtémája.
Lentebb összegyűjtötttem néhány elektronikával kapcsolatos, hasznos linket.
Új hozzászólás Aktív témák
-
And
veterán
válasz
Batman2 #6573 üzenetére
"Tehát akkor a tranyó Pd értéke az a teljes áramkör teljesítményéből a tranyóra eső rész, amit az fogyaszt el (és ad le hő formájában), így kell érteni ??"
Igen. Ennek a maximális értéke limitált, de mint írtam, ez eléggé elméleti érték, mert végtelen hűtőfelülettel (vagyis a hűtőborda és a környezet között nulla hőellenállással) számol, ez pedig a gyakorlatban csak közelíthető. Többek között ezért sem tervezünk határérték közelébe disszipációt.
A kapcsolóüzemű működés közben keletkező hőt sok dolog befolyásolja. A hő statikus állapotban a terhelés bekapcsolt állapotában (maximális draináram mellett) keletkezik, mivel egy lezárt fet csak legfeljebb µA nagyságrendű draináramot vezet. A nyitott állapotra jellemző Pd= Id^2 * Rds_on érték nyilván nagyságrendekkel nagyobb a lezárt fet által disszipált teljesítménynél. Ezért statikus állapotban az Rds_on értéke a meghatározó. Igen ám, de a kapcsolóüzem ill. a PWM arról szól, hogy időegység alatt rengetegszer kapcsolgatjuk ki-be az eszközt. Ilyenkor jön a képbe a kitöltési tényező, a kapcsolási (PWM-) frekvencia és az átkapcsolás időtartama. A két állapot közötti átmenet (lineáris üzem) a statikus bekapcsolt állapotnál is nagyobb hőveszteséget eredményez, mivel a kapcsolóeszközön még/már folyik valamekkora áram, miközben az Uds-feszültsége sem minimális. Ezért az átkapcsoláskor rövid időre impulzusszerűen megnő a disszipáció értéke. Az átkapcsolás időtartama nem lehet nulla, hanem egy véges érték, mivel a fet bemeneti kapacitása csak limitált Ugs-meredekséget tesz lehetővé. Ez a meredekség pedig a meghajtóárammal áll összefüggésben, mert adott gate-töltést (amely típusra és munkapontra jellemző adat) adott idő alatt mozgatni meghatározott áramot igényel. Vagyis gyors átkapcsolás -> nagy meghajtó áramimpulzus. Pl. az integrált kivitelű mosfet-driverek legjellemzőbb adata az a csúcsáram, amelyet biztosítani tudnak a gate számára. Ahogy az átkapcsolás időtartama a teljes kapcsolási periódus egyre nagyobb hányadát foglalja el, a disszipáció átlagos értéke egyre jobban megnő. Így hiába marad ugyanakkora (akár tisztán rezisztív) a terhelés, a kapcsolási frekvencia növelésével a fet disszipációja növekedni fog.
"A normál tranyó és a FET összehasonlítást úgy értettem, hogy ugyazon Pd max. (vagyis azonos hőkibocsájtás) értékü bipoláris tranyó és MOSFET esetében a MOSFETek nagy előnyben vannak a tranyókkal szemben, mivel sokkal nagyob teljesítményt tudnak kapcsolni, azonos hőkibocsájáts mellett !"
Mégegyszer: általános esetben Pd <> Pd_max! A maximális Pd nem hőkibocsátás, hanem disszipációs képesség. A gyakorlatban ezért nem feltétlenül hasonlítható össze az általad leírt módon egy mosfet és egy bipolár kapcsolóeszköz. A Pd_max nem kiindulási alap, hanem éppen olyan limit, mint az Uds_max / Uce_max, vagy az Id_max / Ic_max, amelyektől szintén függ a 'kapcsolható teljesítmény'. Ha adott terhelőáramnál veszünk egy mosfetet, amelynek az Id * Rds_on szaturációs feszültsége nagyobbra adódik, mint egy hasonló Pd_max értékű bipoláré, akkor utóbbival jártál jobban (statikus bekapcsolást feltételezve). Más kérdés, hogy általában adott terheléshez keresünk kapcsolótranzisztort, és nagy áramhoz szinte biztosan találunk olyan fetet, amelyet extrém alacsony csatornaellenállás jellemez, így jobb hatásfokkal kapcsolható be, mint egy bipolár. Cserébe tolhatjuk bele az A-es nagyságrendű gate-áramimpulzusokat, mivel a kis csatornaellenállás általában nagy gate-töltéssel (gate kapacitással) párosul.
Új hozzászólás Aktív témák
- Megkapja az FSR 4-et a PlayStation 5 Pro
- Intel Core i5 / i7 / i9 "Alder Lake-Raptor Lake/Refresh" (LGA1700)
- Folyószámla, bankszámla, bankváltás, külföldi kártyahasználat
- Video digitalizálás
- Autós topik
- AMD Ryzen 9 / 7 / 5 9***(X) "Zen 5" (AM5)
- AMD K6-III, és minden ami RETRO - Oldschool tuning
- Május 5-én csörög utoljára a Skype
- AMD Navi Radeon™ RX 9xxx sorozat
- EAFC 25
- További aktív témák...
- AKCIÓ!!! GAMER PC: Új RYZEN 7 5700/5800X + RTX 3060 Ti / 3070 / 3080 + Új 16-32GB DDR4! GAR/SZÁMLA!
- Asus játékra is,core i7 ,Geforce GT920M 2/4GB videokártya,8-20GB RAM,SSD,Új akku,szép állapot,W11
- Megkímélt HP 15,6"FullHd IPS,core i5 1135G7,Iris Xᵉ+MX350 VGA,8-32GB RAM,256GB-512GB SSD
- Canon EF-S 18-135mm f/3.5-5.6 Is STM és Canon EF-S 18-135mm 1:3.5-5.6 Is objektívek
- Szép Acer 15.6" ,6.gen.core i3(4X2,0Ghz)8GB RAM,SSD,jó akku
- Telefon felvásárlás!! iPhone 14/iPhone 14 Plus/iPhone 14 Pro/iPhone 14 Pro Max
- LG 48C2 - 48" OLED EVO - 4K 120Hz 1ms - NVIDIA G-Sync - FreeSync Premium - HDMI 2.1 - A9 Gen5 CPU
- Samsung Galaxy A33 5G 128GB, Kártyafüggetlen, 1 Év Garanciával
- Telefon felvásárlás!! Samsung Galaxy Note 10+/Samsung Galaxy Note 20/Samsung Galaxy Note 20 Ultra
- Apple iPhone 12 Mini 128GB, Kártyafüggetlen, 1 Év Garanciával
Állásajánlatok
Cég: PCMENTOR SZERVIZ KFT.
Város: Budapest