Keresés

Új hozzászólás Aktív témák

  • Robitrix

    senior tag

    válasz husztiimi #32 üzenetére

    túl sokat már nem hoz teljesítményben. Ott van komoly előre lépés, ha 14 nm helyett 7 nm.. ott úgye közelebb kerülnek az elemek 7 nm-rel vagyis rövidebb összekötések kellenek ami csökenti az ellenállást és ezzel a hőtermelést. ami magasabb órajeleket tesz lehetővé. Ami növeli a teljesítményt. Na de mikor mondjuk 4 nm-et váltanak át 3 nm-re. ott már csak átlagosan 1 nm-rel kerülnek közelebb az tranzisztorok egymáshoz. az már nem eredményez számottevő ellenállás csökkenést. vegyis nem csökken annyira a hőtermelés, amiért feljebb lehet tolni az órajelet és növelni a teljesítményt. érdemben már nincsen drasztikus különbség már egy 3 vagy egy 4 nm-en gyártott chip közt. Valami újat kell kitalálni. a kicsinyitás már nem hoz túl nagy előre lépést. Aztán úgy fél nm-er környékén kezdenek beleütközni a fizikai korlátokba, amikor már egy tranzisztor szigetelő rétege nem tartalmaz elég atomot, hogy ténylegesen szigetljen aminek szigeteolni kéne. Az N és P rétegek elválasztásáról van szó. Úgy 20 atomyni vastagság még biztonságosan szigetel, de 8-10 atomnyin már átkolbászol az elektron. Bele ütközünk a szilicium alapú technológia fizikai korlátaiba. Egy fajt megoldás lehet vissza tárni más anyagú félvezőkre, Amikor indult technológia eleinte nem sziliciumot használtak a félvezetökné, hanem germániumot és egyebeket. Nagyjából egy germánium alapú félvezetővel meg lehetne 10-szerezni a teljesítményt. Csakhogy bár a gyártáshoz nagy tisztaságú szilicium-dioxidból indulnak, mint alapanyag, ami úgye a homok. Abból könnyebb és olcsóbb 1000 tonnát szerezni, mint 1000 tonna germániumot. Pont ezért terjedt el a szilicium alapú félvezető, mert azért homok bőven van a világban germánium milliószor ritkább anyag. lehetne jobb és gyorsabb félvezető anyagokat használni a szilicium helyett csak hát annak az ára..... kevesen vennének otthon maguknak a számítógépbe 15 ezer dolláros CPU-t.....

Új hozzászólás Aktív témák