- Xiaomi 13 Pro - szerencsés szám
- Honor 400 Pro - Gép a képben
- iPhone topik
- Samsung Galaxy Z Fold6 - ugyanaz, sarkosan fogalmazva
- Rekordérdeklődés a Xiaomi hátsó kijelzője iránt
- Szívós, szép és kitartó az új OnePlus óra
- Mobil flották
- Megérkezett a Google Pixel 7 és 7 Pro
- Ilyen lesz a Galaxy S26 Ultra
- Yettel topik
Aktív témák
-
MoonFace
csendes tag
Az eredetileg feltett kérdésekre adandó válaszok sajnos megkövetelnek némi háttérinformációt a szinkron-memóriák müködéséröl, úgyhogy attól tartok ez egy kicsit hosszú lesz...
A szinkron RAM-ok gyakorlati müködése valami ilyesmi 4-bankos SDRAM-ot, és kezdetben inaktív bankokat feltételezve:
- Elsö lépésben a Bank Activate / Row Address Select parancsot kell kiadni (vagyis elöször a sorcímet adjuk meg, valamint az ''eredeti'' lineáris címböl valamelyik 2 bit kerül Bank Select (B0/B1) jelként ide).
- A RasToCas Delay által meghatározott órajelszám után kell kiadni a Read/Write parancsot az aktivált bankra (a B0/B1 itt is érvényes, de már aktív bankra kell hivatkoznia), illetve az oszlopcímet megadni (Coloumn Address Select), valamint ha memóriaírásról van szó, akkor már ebben az órajelben az elsö érvényes adatnak a D0-Dx vezetéken kell lennie (írásnál nincs CAS Latency).
- Memóriaolvasás esetén a CAS Latency által meghatározott órajellel késöbb kerül az elsö adat a D0-Dx vezetékekre, majd ez után az aktuális datarate-nek megfelelöen (SDR: 1X, DDR: 2X) az ezt követö címekre vonatkozó a Burst Lenght által meghatározott számú további adatblokk kerül átvitelre további vezérlöjelek kiadása nélkül (illetve a megkezdett tranzakció megszakítható egy Burst Terminate paranccsall).
- Az átvitel után (illetve a specifikáció alapján meghatározott mennyiségü órajellel akár korábban) kiadható a Bank Close / Row Precharge parancs, ez után az illetö bank a Precharge Time által meghatározott minimális órajelig nem elérhetö. Ez utóbbi parancs kiadása késleltethetö szintén a specifikációban meghatározott (általában 100000-es nagyságrendü órajeles) maximális ideig, illetve létezik egy un. Auto Precharge mód is, ahol minden tranzakció végén automatikusan végrehajtásra kerül a precharge parancs (tipikusan NoteBook-ok használják a kisebb teljesítményfelvétel érdekében, hogy egy bank minimális ideig legyen aktív).
Amennyiben a kezdeményezett tranzakció (írás/olvasás) egy már aktív bankra történik, úgy az elsö pont és a RasToCas delay kimarad (a klasszikus fast-page mode analógiájára), tehát a memóriavezérlönek érdemes optimalizálva menedzselnie a Bank Activate / Close parancsokat a maximális teljesítmény érdekében.
A parancsok közti ''üres'' órajelekben más bankokra vonatkozó parancsok kiadhatók, vagyis a tranzakciók átlapolhatóak a maximális átviteli sebesség érdekében (végülis ezért van a multibank), tehát a memóriavezérlö ma már nem egy buta jószág...
A memória-idözítési paraméterek (pl. a CAS latency) a memóriachip-en speciális parancsok által beállítható paraméter, tehát attól függetlenül, hogy a BIOS-on keresztül állítod be, egy érték gyakorlati alkalmazhatóságát alapvetöen maga a memória befolyásolja. A legjobb példa pont a CAS latency, amiböl tipikusan kétféle (egy gyorsabb és egy lassabb) értéket támogatnak a memóriák, vagyis a BIOS-ban hiába lehet pl: 1.5/2/2.5/3 órajelet is beállítani, ha a memória csak a 2/2.5-et támogatja...
A Bank-interleaveing-röl:
Egy SDRAM chip teljes címtarománya 4 bankba van szervezve. Egy meghatározott adat teljes címzéséhez 3 információra van szükség:
- Bank select (B0/B1)
- Row address (A0-Ar)
- Coloumn address (A0-Ac)
Ez a gyakorlatban azt jelenti, hogy a memória címtartományból két bit az aktuális bank-ot választja ki, az viszont kizárólag a memóriakontrolleren múlik, hogy ez a teljes (eredeti lineáris) cím melyik két bitje. Legegyszerübb esetben (interleave nélkül) a cím legfelsö két bitjét kötik a bank-select lábakra. Ez a gyakorlatban azt eredményezi, hogy pl. egy 256Mb-es chip alsó 64Mb-jét a Bank0, a következöt a Bank1, satöbbi blokkok adják. Ennek hátránya, hogy mivel a programok adatai általában többé-kevésbé lokálisan helyezkednek el, így az esetek döntö többségében csak egy bank-ot használunk, ami egyrészt jó a kisebb teljesítményfelvétel, másrészt rossz a kihasználatlan multi-banking képesség miatt.
Bank interleave úgy érhetö el, hogy azokat a címbiteket kötjük a B0/B1 lábakra, amik pl. lapméretenkénti bankváltást okoznak (vagyis a sor és az oszlopcím bitjei közé rakjuk a bank-select biteket). Ez a ma alkalmazott memóriák esetén tipikusan 2kB-onkénti (jellemzö lapméret) bankváltást okoz, ami egyrészt javítja a bankok párhuzamos kihasználhatóságát, másrészt a lapméretet látszólag megtöbbszörözve (az interleave faktorral) javítja a sokkal gyorsabb Fast-page elérések valószinüségét.
Na, ha ezen átrágtátok magatokat, és még van kérdés, akkor bátran... -
Cathfaern
nagyúr
Nekem 10-15 FPS romlást okozott az, ha a átállítottam cas3-133MHz-ről cas2-100Mhz-re(igaz ezek SDRamok, de ebben nem hiszem, hogy túl sok különbség lenne).
Lenne egy-két kérdésem: A ''ram timing''-nak két értéke van: ''manual'' vagy ''by spd''. Mi az a ''spd''?
Mi az a ''bank interlave''? 2-4-disabled értékek közül mire érdemes állítani? -
A 333-as 25%-al nagyobb frekvencián jár. Ez azt jelenti hogy a memória sebessége elvileg 25%-al nagyobb.
Az már más kérdés hogy ebből az alaplapi chipset mennyit tud kihozni.
Pl. egy P4 alaplapnál a DDR333 nagyobb teljesítmény növekedést okoz mint egy AMD Kt333 lapnál. Egy Nforce 2 pedig sokkal többet gyorsul egy DDR400 ramtól mint pl. egy KT400.
Most a DDR333 számít jó vételnek szerintem. -
Hogy valami konkrét dolog is legyen: :)
Megmértem több játékkal a Micron DDR ramom.
Szal 266Mhz-en cl2.5 és cl2 beállítás mellett mértem. A cl2 kb 4-5%-al volt gyorsabb. Ennyivel több fps-t írt ki az xyz játék progi, ill ennyivel több ponto hozott a 3dmark2001. A Sandra és az AIDA tesztprogramokkal mérve a memória sebesség kb 8%-al lett gyorsabb. -
Thom!
veterán
Mit is jelent igazából az, CAS 2.5 v. CAS 2?
ram elérési ideje kb. 10-15% különbség van közötte.
Létezik-e egyáltalán CAS 2 400-as RAM?
Ha jól tudom nem, de magyaroszágon szinte 100% hogy nem fogsz kapni.
Melyik gyorsabb?
266/CAS 2 vagy 333/CAS2.5
333/CAS 2 vagy 400/CAS2.5
333/CAS 2 megfelelően konfigolva. -
Prozac
aktív tag
Épp most lett elegem, hogy mindenki átlátszó módon qrva okosnak látszik ebbena témában!
Szóval megmérte valaki a teljesítménybeli különbségeket?
Mit is jelent igazából az, CAS 2.5 v. CAS 2?
Várakozási ciklusok?
Ezt tetszőlegesen állítom a RAM-hoz?
A modulok nem tartalmazzák ezt az infót? (SDRAM-nál tudtom szerint igen) Felülbírálható?
A gyorsabb 333 v. 400-as , de magasabb CAS érték alacsonyabb teljesítmény?
Létezik-e egyáltalán CAS 2 400-as RAM?
Nem szubjektív vélemélnyt, hanem tudásalapú választ várok:
Melyik gyorsabb?
266/CAS 2 vagy 333/CAS2.5
333/CAS 2 vagy 400/CAS2.5
Szóval ? :))
Aktív témák
- BESZÁMÍTÁS! 64GB (2x32) G.Skill Trident Z NEO RGB 4000MHz DDR4 memória garanciával hibátlan működés
- BESZÁMÍTÁS! 32GB (2x16) G.Skill Ripjaws V 4000MHz DDR4 memória garanciával hibátlan működéssel
- BESZÁMÍTÁS! MSI MPG Z490 GAMING EDGE WIFI alaplap garanciával hibátlan működéssel
- ASUS ROG STRIX B365-F GAMING
- GIGABYTE Z790 UD Alaplap GARI: 2026.07.26.
- Telefon felvásárlás!! iPhone X/iPhone Xs/iPhone XR/iPhone Xs Max
- ÁRGARANCIA!Épített KomPhone Ryzen 5 7500F 32/64GB RAM RX 7800 XT 16GB GAMER PC termékbeszámítással
- GYÖNYÖRŰ iPhone 12 mini 128GB Blue -1 ÉV GARANCIA - Kártyafüggetlen, MS3195, 95% Akkumulátor
- LG 29WP60G-B - 29" IPS LED - 2560x1080 Wide FHD - 75Hz 1ms - AMD FreeSync - HDR10
- 155 - Lenovo LOQ (15IRH8) - Intel Core i5-13505H, RTX 4060
Állásajánlatok
Cég: Laptopműhely Bt.
Város: Budapest
Cég: PCMENTOR SZERVIZ KFT.
Város: Budapest