Új hozzászólás Aktív témák

• #72 TeeJay félisten Ice&Lime #71

  Új Válasz 2014-12-12 19:15:18 #72

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  TeeJay

  félisten

  válasz Ice&Lime #71 üzenetére

  850EVO és anandtech tesztben volt ha jól olvastam hogy 3000+ P/E értéket mutat már most is
  tehát ennyiszer legalább újra lehet írni a cellákat amíg nullára csökken a WLC

  120x3000=360000GB alsó hangon
  értelem szerűen a 250-es duplája és mint láttuk az előző szériákból ezt bőségesen túl is teljesítik mielőtt beadná a kulcsot

• #70 Balage76 senior tag Ice&Lime #67

  Új Válasz 2014-12-12 18:02:37 #70

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  Balage76

  senior tag

  válasz Ice&Lime #67 üzenetére

  Amúgy nem tömegesen méred és hasonlítod össze a termékeket, addig ezek a tesztek érthető okokból nem igazán mérvadóak (tök mindegy melyik oldalon állsz). Erre pedig a gyártókon kívül senkinek sincs se pénze se ideje.

  Mindemellett amíg a vállalt specifikációban a termék azonos marad, addig gyakorlatilag szabadon változtathatják (és változtatják is) a gyártók a termékeket. Erre jó példa volt a Samsung 830 és a régi 840-es sorozat, amiknél a bevezetés és kivezetés között 5-8nm-rel változott a csíkszélesség. Ezt a változtatást egyértelműen a gyártás minőségének a felfutása tette lehetővé. Ezt azonban semmiképp sem szabad összekeverni azzal ha névváltoztatás nélkül gyengébb komponensre cserélnek valamit....

• #68 TeeJay félisten Ice&Lime #67

  Új Válasz 2014-12-12 17:56:43 #68

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  TeeJay

  félisten

  válasz Ice&Lime #67 üzenetére

  5év garit kapott...
  külföldi tesztekben meg ha jól láttam 3000+ ezres újraírás után csökkent nullára a WLC
  és ugye ez meg nem jelenti azt hogy akkor kampó van neki hiszen láttuk hogy akár többszörösen túl tudja teljesíteni ezt
  lássuk csak egy sima 120gigás EVO esetén is 360TB írást számoltam, ami valljuk be több mint elég.
  hamarabb rohad el az SSD külseje mint a NAND chip főleg hogy nekem 2év után még nincs 6TB írásom a 830-as 64gigás SSD-n

• #66 Oliverda titán Ice&Lime #65

  Új Válasz 2014-12-12 16:10:32 #66

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  Oliverda

  titán

  válasz Ice&Lime #65 üzenetére

  Mint például?

• #64 Oliverda titán Ice&Lime #63

  Új Válasz 2014-12-12 16:03:58 #64

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  Oliverda

  titán

  válasz Ice&Lime #63 üzenetére

  NAND szétszedősre, vagy mire?

• #62 TeeJay félisten Ice&Lime #61

  Új Válasz 2014-12-12 15:09:58 #62

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  TeeJay

  félisten

  válasz Ice&Lime #61 üzenetére

  olvasd el a VNAND cikket a 850Pro meg a 850EVO tesztnél
  Samsung visszaállt 40nm-re és nem a csíkszélességet fogja csökkenteni hanem helyette többrétegű NAND-ot készít amivel sokkal strapabíróbb mégis olcsó és gyors memória készíthető
  mások 1x nm TLC-vel szórakoznak de még azzal sem fogják tudni beérni a Samsung VNAND-ot miközben jó ha 1000x programozható cellákat kapnak csak ami eléggé gázos

• #60 TeeJay félisten Ice&Lime #58

  Új Válasz 2014-12-12 14:13:02 #60

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  TeeJay

  félisten

  válasz Ice&Lime #58 üzenetére

  egyelőre most biztos maradnak 40nm-en mert ott kényelmesen lehet gyártani, és a rétegek számát növelik majd
  jelenleg 32 de lesz az szerintem pár éven belül 128 is és így tovább

  kíváncsi leszek a következő generációra, sajnálatos hogy annyi féle újfajta csatolót találtak ki hogy egymást hátráltatja mindegyik
  M2, SATAExpress, mSATA

  jó lett volna ha kapásból csak egy lesz és arra lehet fejlődni

• #59 Balage76 senior tag Ice&Lime #58

  Új Válasz 2014-12-12 14:01:41 #59

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  Balage76

  senior tag

  válasz Ice&Lime #58 üzenetére

  Miért lenne 16?

  30nm alatt más gyártástechnológia kell, ami jelentősen drágítja az előállítást.
  40-ről 30-ra még érdemes lemenni, de ez alá már csak akkor, ha az extra rétegek miatt drágább előállítani a terméket, mint amennyivel a nm csökkentés lenne drágább.

• #10 Lewzke őstag Ice&Lime #7

  Új Válasz 2014-12-08 19:25:55 #10

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  Lewzke

  őstag

  válasz Ice&Lime #7 üzenetére

  Igen, közben böngészgettem a Samsung honlapját. Csupán az adatok szerint a strapabírás szempontjából nem sokkal jobb mint az előző : 71TBW(840EVO) vs 75 TBW (850EVO). Viszont sejteni lehet, hogy ennél sokkal több írást is elvisel a V-NAND. Én várom az itthoni megjelenésüket remélve, hogy a 100 dollárból nem lesz 100 euró...

Új hozzászólás Aktív témák