Új hozzászólás Aktív témák

• #21 vicze félisten pengwin #19

  Új Válasz 2014-07-22 08:41:20 #21

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  vicze

  félisten

  válasz pengwin #19 üzenetére

  Egyrészt még nincs a piacon 14nm-es Z3xxx, szeptemberre van ígérve, szóval most akkor azt mondod hog az a probléma, hogy a 32nm-es Z2xxx(melyik?) vs. 22nm Z3xxx (melyik?) ugyan annyit fogyaszt? Mert a kettő között egy drasztikus architektúra váltás van és többszörös teljesítmény növekedés.
  Szóval nem igazán értem ezt a hasonlatot. Összehasonlítani a 22-es Z3-asokat lehet majd a 14nm-es Z3-akkal. De már a Celeron M-es demo tableten is látszott, hogy eléggé lecsökkent a fogyasztást.

• #14 vicze félisten Luck Dragon #11

  Új Válasz 2014-07-17 18:24:20 #14

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  vicze

  félisten

  válasz Luck Dragon #11 üzenetére

  Csak hogy tisztában legyél a léptékkel. 1db szilárdnak mondható szilícium atom ~0,3nm átmérőjű, 10nm-en kevesebb mint 30db alkotja a kaput, mivel van valamennyi térköz is az atomok között. Na most 10nm alatt még kvantum fizikai problémák is felvetődnek, szóval az alá menni nem kis feladat lesz.

  @Peterson_: Mint írtam csinálnak kisebb csíkszelességél is dolgokat, csak nagyon-nagyon nem mindegy hogy mit, a CPU-nak most a 14nm a határ. Csináltak ilyet is:
  "In 2012 a single atom transistor was fabricated using a phosphorus atom bound to a silicon surface (between two significantly larger electrodes). This transistor could be said to be a 180 pm transistor (the Van der Waals radius of a phosphorus atom); though its covalent radius bound to silicon is likely smaller. Making transistors smaller than this will require either using elements with smaller atomic radii, or using subatomic particles—like electrons or protons—as functional transistors"

  Majd 50év múlva találkozunk "gyakorlatban" a problematikával. Előtte még pár kvantum mechanikai tőrvényt is le kell küzdeni.

• #10 vicze félisten Peterson_ #5

  Új Válasz 2014-07-17 15:53:22 #10

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  vicze

  félisten

  válasz Peterson_ #5 üzenetére

  Nem éppen így meg...

  A kisebb csíkszélességet, először mindig a lehető legegyszerűbb áramkörökkel lépik meg, így NAND-ot Micron 16nm-en, Samsung 19nm-en gyárt, Samsung 20nm-en a DRAM-ot. Míg a SoC-ok 28-on készülnek jelenleg. Ez egy folyamat, ahol először a megvilágító berendezéseket az egyre bonyolultabb struktúrákra állítják át. A magas bonyolultságú áramkörök esetében az Intel áll jelenleg a legjobban mivel ők idén a 14nm-t vezetik be, így 1 generációval vannak a többiek előtt. TSMC és Samsung is idén 20nm-re áll/állt át.
  Nem, nem előre készülnek X évvel a termékek, max. 3-6hónap, hisz a gyártásról a kész termékig rengeteg lépés van. 14-16nm-et most kb. NAND-on tesztelhetik.
  Tervek nyilván megvannak előre évekkel, de a kész termék azért messze van.

  @antyg: 28nm-en van most Apple Samsungnál.

Új hozzászólás Aktív témák