Hirdetés
- Apple iPhone 15 - a bevált módszer
- Samsung Galaxy S25 Edge - a tegnap határán
- Motorola Edge 50 Neo - az egyensúly gyengesége
- Samsung Galaxy S23 Ultra - non plus ultra
- Xiaomi 13 Pro - szerencsés szám
- iPhone topik
- Samsung Galaxy Z Flip5 - ami kint, az van bent
- Samsung Galaxy Watch (Tizen és Wear OS) ingyenes számlapok, kupon kódok
- Dupla kamerával menekülne az iPhone Air a kaszától
- Samsung Galaxy Z Fold7 - ezt vártuk, de…
Új hozzászólás Aktív témák
-
Mivel a kompatibilis lapok már megjelentek és pár ddr3es ram teszt is kering a neten úgy döntöttem itt az ideje megnyitni a topic-ot. Ahogy az első hsz folyamatosan szerkesztve lesz, a fontosabb info-kkal!
The memory comes with a promise of a power consumption reduction of 40% compared to current commercial DDR2 modules, due to DDR3's 90 nm fabrication technology, allowing for lower operating currents and voltages (1.5 V, compared to DDR2's 1.8 V or DDR's 2.5 V). ''Dual-gate'' transistors will be used to reduce leakage of current.
DDR3's prefetch buffer width is 8 bit, whereas DDR2's is 4 bit, and DDR's is 2 bit.
Chips
* DDR3-800 : DDR3-SDRAM memory chips specified to run at 100 MHz, I/O clock at 400 MHz
* DDR3-1066: DDR3-SDRAM memory chips specified to run at 133 MHz, I/O clock at 533 MHz
* DDR3-1333: DDR3-SDRAM memory chips specified to run at 166 MHz, I/O clock at 667 MHz
* DDR3-1600: DDR3-SDRAM memory chips specified to run at 200 MHz, I/O clock at 800 MHz
Sticks/Modules
* PC3-6400: DDR3-SDRAM memory stick specified to run at 400 MHz using
DDR3-800 chips, 6.40 GB/s bandwidth
* PC3-8500: DDR3-SDRAM memory stick specified to run at 533 MHz using
DDR3-1066 chips, 8.53 GB/s bandwidth
* PC3-10600: DDR3-SDRAM memory stick specified to run at 667 MHz using
DDR3-1333 chips, 10.67 GB/s bandwidth
* PC3-12800: DDR3-SDRAM memory stick specified to run at 800 MHz using
DDR3-1600 chips, 12.80 GB/s bandwidth
Features
DDR3 SDRAM Components:
* Introduction of asynchronous RESET pin
* Support of system level flight time compensation
* On-DIMM Mirror friendly DRAM ballout
* Introduction of CWL (CAS Write Latency) per speed bin
* On-die IO calibration engine
* READ and WRITE calibration
DDR3 Modules:
* Fly-by command/address/control bus with On-DIMM termination
* High precision calibration resistors
Advantages compared to DDR2
* Higher bandwidth (up to 1600 MHz)
* Performance increase at low power
* Longer battery life in laptops
* Enhanced low power features and thermal design
Disadvantages compared to DDR2
* Commonly higher CAS Latency
* Lower MFIBS per Quad Cycle![[kép] [kép]](http://upload.infinityx.nl/DDR-DDRII-DDRIII.gif)
![[kép] [kép]](http://www.expreview.com/img/topic/ddr3/img_double_data.jpg)
![[kép] [kép]](http://www.expreview.com/img/topic/ddr3/061109_ddr3teh_17.jpg)
DDR3 ramok,chippek--> [link]
Új hozzászólás Aktív témák
- Samsung Galaxy S24 Ultra 12GB / 512GB USA modell Szép állapotban!
- Telefon felvásárlás!! Xiaomi Redmi Note 13, Xiaomi Redmi Note 13 Pro, Xiaomi Redmi Note 13 Pro+
- 2db Apple Lightning - jack átalakító eladó egyben 1999 Ft
- Lenovo ThinkPad P15 Gen 2 - i7-11850H 32GB 1000GB Nvidia RTX A4000 8GB 1 év gar.
- Telefon felvásárlás!! Samsung Galaxy S24/Samsung Galaxy S24+/Samsung Galaxy S24 Ultra
Állásajánlatok
Cég: Laptopműhely Bt.
Város: Budapest
Cég: PCMENTOR SZERVIZ KFT.
Város: Budapest


