- Samsung Galaxy A54 - türelemjáték
- Xiaomi 14T - nem baj, hogy nem Pro
- Apple iPhone 11 - népalma
- iPhone topik
- Jól néz ki a világoskék iPhone 17 Air
- Másfél évtizedre kitiltották a BOE-t Amerikából
- Végleges az új Pebble órák formája és tudása
- Milyen okostelefont vegyek?
- Xiaomi 16: önfejlesztés önfotós oldalon
- Fotók, videók mobillal
Új hozzászólás Aktív témák
-
Mivel a kompatibilis lapok már megjelentek és pár ddr3es ram teszt is kering a neten úgy döntöttem itt az ideje megnyitni a topic-ot. Ahogy az első hsz folyamatosan szerkesztve lesz, a fontosabb info-kkal!
The memory comes with a promise of a power consumption reduction of 40% compared to current commercial DDR2 modules, due to DDR3's 90 nm fabrication technology, allowing for lower operating currents and voltages (1.5 V, compared to DDR2's 1.8 V or DDR's 2.5 V). ''Dual-gate'' transistors will be used to reduce leakage of current.
DDR3's prefetch buffer width is 8 bit, whereas DDR2's is 4 bit, and DDR's is 2 bit.
Chips
* DDR3-800 : DDR3-SDRAM memory chips specified to run at 100 MHz, I/O clock at 400 MHz
* DDR3-1066: DDR3-SDRAM memory chips specified to run at 133 MHz, I/O clock at 533 MHz
* DDR3-1333: DDR3-SDRAM memory chips specified to run at 166 MHz, I/O clock at 667 MHz
* DDR3-1600: DDR3-SDRAM memory chips specified to run at 200 MHz, I/O clock at 800 MHz
Sticks/Modules
* PC3-6400: DDR3-SDRAM memory stick specified to run at 400 MHz using
DDR3-800 chips, 6.40 GB/s bandwidth
* PC3-8500: DDR3-SDRAM memory stick specified to run at 533 MHz using
DDR3-1066 chips, 8.53 GB/s bandwidth
* PC3-10600: DDR3-SDRAM memory stick specified to run at 667 MHz using
DDR3-1333 chips, 10.67 GB/s bandwidth
* PC3-12800: DDR3-SDRAM memory stick specified to run at 800 MHz using
DDR3-1600 chips, 12.80 GB/s bandwidth
Features
DDR3 SDRAM Components:
* Introduction of asynchronous RESET pin
* Support of system level flight time compensation
* On-DIMM Mirror friendly DRAM ballout
* Introduction of CWL (CAS Write Latency) per speed bin
* On-die IO calibration engine
* READ and WRITE calibration
DDR3 Modules:
* Fly-by command/address/control bus with On-DIMM termination
* High precision calibration resistors
Advantages compared to DDR2
* Higher bandwidth (up to 1600 MHz)
* Performance increase at low power
* Longer battery life in laptops
* Enhanced low power features and thermal design
Disadvantages compared to DDR2
* Commonly higher CAS Latency
* Lower MFIBS per Quad Cycle
DDR3 ramok,chippek--> [link]
Új hozzászólás Aktív témák
- Samsung Galaxy A54 - türelemjáték
- Milyen házat vegyek?
- Könyvajánló
- Xiaomi 14T - nem baj, hogy nem Pro
- E-roller topik
- Argos: Adjátok vissza a netet! - szeretnék elaludni!
- Kormányok / autós szimulátorok topikja
- Kertészet, mezőgazdaság topik
- Gitáros topic
- Apple iPhone 11 - népalma
- További aktív témák...
- Micron SO-DIMM laptop memória 4GB DDR4 3200MHz MTA4ATF51264HZ-3G2J1
- BESZÁMÍTÁS! MSI Z87-G43 GAMING Z87 chipset alaplap garanciával hibátlan működéssel
- BESZÁMÍTÁS! ASUS B550 Vision D B550 chipset alaplap garanciával hibátlan működéssel
- BESZÁMÍTÁS! GIGABYTE Z97X-Gaming 3 Z97 chipset alaplap garanciával hibátlan működéssel
- BESZÁMÍTÁS! ASUS TUF X570-PLUS WiFi X570 chipset alaplap garanciával hibátlan működéssel
- Gamer PC-Számítógép! Csere-Beszámítás! R5 5600X / 32GB DDR4 / RTX 3060Ti 8GB / 500GB SSD
- Apple iPhone 13 Pro Max 128GB, Kártyafüggetlen, 1 Év Garanciával
- ÁRGARANCIA!Épített KomPhone Ryzen 7 5700X3D 32/64GB RAM RX 7800 XT 16GB GAMER PC termékbeszámítással
- HATALMAS AKCIÓK! GARANCIA, SZÁMLA - Windows 10 11, Office 2016 2019 2021,2024, vírusírtók, VPN
- Telefon felvásárlás!! Samsung Galaxy Note 10+/Samsung Galaxy Note 20/Samsung Galaxy Note 20 Ultra
Állásajánlatok
Cég: FOTC
Város: Budapest