Új hozzászólás Aktív témák

• #56 Abu85 HÁZIGAZDA Issty18 #54

  Új Válasz 2020-09-25 11:21:33 #56

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  Abu85

  HÁZIGAZDA

  válasz Issty18 #54 üzenetére

  Az sem igazán, mert az áramköri elemek, illetve a dizájnkönyvtár is befolyásolja ezt. Igazából a gyártástechnológiát nem kellene marketingre használni, mert elmagyarázni nehéz, a nanométer előtti szám pedig kevés információ.

  (#55) ukornel: Eleve nem tudnák átnevezni, mert az ITRS nem fogadná el. Valójában nem kerülhet ám akármilyen szám a nanométer elé. Az ITRS-nek erre azért vannak bizonyos követelményei.
  Az Intel abban a csapdában van benne, hogy évekig nyomták a gyártástechnológiai marketinget, és most nem tudnak szabadulni tőle. Még most is nyomatják, csak már nem a számra mennek, hanem superfinre, stb. De továbbra is nagy hiba ezt marketing szintre hozni, mert ami átadható a piacnak egyszerűen az a nanométer előtti szám, a többi viszont nehéz. A TSMC-nek sem tart majd sokáig az 5 nm-en elnevezni a FinFET-et csillámfaszlámaFET-nek.

• #50 Abu85 HÁZIGAZDA Shing #46

  Új Válasz 2020-09-24 19:17:11 #50

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  Abu85

  HÁZIGAZDA

  válasz Shing #46 üzenetére

  Nem igazán rajtuk múlik. Az félvezetőgyártók nemzetközi szervezte, az ITRS beleszól abba, hogy milyen szám kerülhet a nanométer elé. Bizonyos követelményeket teljesíteni kell ahhoz, hogy 10-est vagy 7-est vagy most 2-est lehessen odaírni.

  Az alapprobléma egyébként az, hogy az Intel ezt a bonyolult kérdést évekig úgy leegyszerűsítette, hogy a nanométer előtti kisebb szám a jobb. Sosem kellett volna a gyártástechnológiát ennyire egyszerű marketingbe burkolva tálalni, mert nem ilyen egyszerű ez a kérdés.

• #39 Abu85 HÁZIGAZDA Cifu #37

  Új Válasz 2020-09-24 14:46:44 #39

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  Abu85

  HÁZIGAZDA

  válasz Cifu #37 üzenetére

  Meg a jobb dizájnkönyvtár, meg az AVFS, meg egy rakás dolog, amit az AMD azért fejlesztett korábban, hogy az Intellel valahogy tudják tartani a lépést gyártástechnológiai hátrányból, de most gyártástechnológiai előnyben, ezek extra előnyt adnak. Az Intelnek nem igazán foglalkozott ezekkel, mert erőből csináltak mindent, most lett ez hátrány, amikor elfogyott az erő.

  Kétszer biztosan nem jobb. Nehéz megállapítani, hogy pontosan mennyi előnye van az AMD-nek a 7 nm-ből. Olyan 20-30% biztos, a többit máshonnan kaparják össze. Ezekre egyébként az Intelnek is érdemes lenne gyúrni, mert számukra sem fog ám kétszeres előnyt jelenteni a 7 nm, hanem inkább 20-30%-ot hoznak vele.

  Ha pusztán a nanométer előtti szám lenne a lemaradás, akkor nyilván jóval közelebb lennének az AMD-hez. Itt azért nagyon sok munka van a háttérben, mert a hátrányuk több lépcsőből tevődik össze.

• #30 Abu85 HÁZIGAZDA Cifu #5

  Új Válasz 2020-09-24 11:55:35 #30

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  Abu85

  HÁZIGAZDA

  válasz Cifu #5 üzenetére

  Azért ilyet ne mondjunk már. Ha alig lenne rosszabb, akkor nem látnád azt, hogy az AMD 64-magos rendszere ellen az Intel két csúcs-Xeonja is kevés: [link]. A valóságban sajnos a 14 nm++++++++++++++ technológia nagyon le van maradva a TSMC 7 nm-es node-ja mögött, persze nem csak ez az oka a különbségnek, a chiplet dizájn is közrejátszik. És akkor még nem beszéltünk arról, hogy a 64-magos EPYC-ből is van kétutas, ami más dimenziót képvisel teljesítményben ugyanolyan fogyasztás mellett.

  A tranzisztorkapuk átmérője azért elég régóta nem egyezik meg a nanométer elé írt számmal. De ez is csak egy érték a sok közül egy gyártástechnológiában. És ez nem igazán határozza meg a tranzisztorsűrűséget sem, mert abban sokkal nagyobb jelentősége van annak, hogy milyen közel lehet helyezni a tranzisztorokat, ami pedig függ az áramkör típusától (cache-nél általában azért közelebb kerülhetnek), illetve a dizájnkönyvtár is lényeges, hiszen a fizikai dizájnokat már gép tervezi. Talán csak a kritikus részeket csinálják manuálisan, de manapság már ez sem annyira lényeges.
  A tranzisztorsűrűséget tekinted, akkor az Intel 10 nm-ére egyetlen ismert adat van, mert a régi jó szokásával ellentétben manapság a cég titkolja a tranzisztorszámot a lapkáiknál. Nem akarják, hogy kiszámold a tranzisztorsűrűséget. A 10 nm-es Spring Hill (ami nagyrészt data parallel gyorító, tehát elég sűrűn helyezhetők a tranyók) viszont 239 mm²-es kiterjedésébe 8,5 milliárd tranzisztort pakol, ami 35 millió tranyó/mm2. A TSMC 7 nm-je 40 és 70 között van dizájntól függően, leginkább 45 és 65 között.
  Bármit is állít az Intel még a 10 nm-jük sem olyan jó, mint a TSMC 7 nm-e, máskülönben nem mennének a TSMC-hez bérgyártatni, de tudják jól, hogy lemaradtak, a saját 7 nm-jük is csúszik, ráadásul mire elérhető lesz, addigra a TSMC megint két node előnyt halmoz fel. Lényegében ezért nem vetik már meg a bérgyártást. Ha továbbra is a saját node-okra építenek, akkor a jövőben benyelik a lemaradt gyártástechnológiájukból eredő hátrányt, ez pedig nem túl jó hosszabb távon, hiszen az lenne a cél, hogy ne két processzorból közelítsék meg a konkurencia csúcs-CPU-jának a teljesítményét. Ehhez innentől kezdve kell a TSMC jobb technológiája, és nem a nanométer elé írt szám miatt érdekes ez, hanem azért, hogy sokkal jobb legyen a perf/watt, amiből az AMD kiépíti egy tokozásban azt a teljesítményt, amire az Intel lényegében két tokozáson belül képes csak, dupla fogyasztással. Ezen a problémán nem segít, ha az Intel marketingesei azt mondják, hogy márpedig a 10 nm-ük olyan jó, mint a TSMC 7 nm-es megoldása, vagy jobb. Ettől még a teljesítménykülönbség ottmarad, hiszen az valóságtagadással nem eltüntethető.

Új hozzászólás Aktív témák