Hardver

Az impresszív teljesítményért 4 gigabájtnyi LPDDR4-es memóriával megtámogatva vagy a Qualcomm Snapdragon 820-as SoC-ja, vagy a Samsung által fejlesztett új generációs rendszerchip, az Exynos 8 Octa 8890 felel, esetünkben ez utóbbi. A 14 nanométeres LPP (Low-Power Plus) FinFET gyártástechnológiával készülő lapka a kisebb csíkszélesség ellenére nagyobb teljesítményre képes, alacsonyabb fogyasztás és hőtermelés mellett. A FinFET struktúra lényege, hogy a processzorok (és memóriák) nem csak két dimenzióban építhetőek. Az elv és anyaghasználat lényegében megegyezik a hagyományos, sík fémoxid félvezető térvezérlésű tranzisztoréval (MOSFET), csak 3D-ben. Konkrétan élére van állítva. A töltéshordozók forrása és az elnyelő közötti csatorna a sík felülettel ellentétben három oldalon vezet, az ezt körülvevő szilícium réteg képezi a barázdát, amiről a nevét kapta (Fin). A kisebb szélesség ellenére a felület megnövekszik, a kapuelektróda és annak szilícium-dioxid szigetelése pedig körülöleli a csatornát, hatékonyabbá téve ezzel az áramirányítást. Csökkennek a rövid csatornás hatások, valamint sokkal nagyobb felületen képes megakadályozni az áramelfolyást, így alacsonyabb alapfeszültség mellett is nagyobb a hatékonyság. Aktív állapotban minimális veszteség mellett nő a teljesítmény, inaktív állapotban pedig a szinte nulla átfolyás miatt csökken a fogyasztás, a térstruktúrának köszönhetően pedig az egész cucc mérete is.

A Samsung új generációs, 64 bites, ARMv8 utasításkészletű chipje négy darab, egyenként 1,6 GHz-re skálázott Cortex A53-as és négy saját fejlesztésű mikroarchitektúrára épülő, maximálisan 2,3 GHz-es (3-4 aktív mag), vagy 2,6 GHz-es Exynos M1 (Mongoose) rendszermagot tartalmaz klaszterezett kapcsolású big.LITTLE elrendezésben. A big és LITTLE magokat rejtő klaszterek közötti váltás is saját fejlesztésű, gyorsítótár koherens kapcsolási módszerrel (Samsung Coherent Interconnect) történik. A grafikus feladatok ellátását viszont az ARM legújabb GPU-jára hagyták. A tizenkét, 650 megahertzre skálázott, energiahatékony grafikus processzormagot tartalmazó Mali-T880MP12 könnyedén megbirkózik a 3D játékokkal, a virtuális valósággal és 4K tartalmak megjelenítésével is. Habár ebben a formában ez kissé marketing szövegre emlékeztető megfogalmazás, de ez esetben tényleg valid.

A Samsung konstrukciója nem csak a benchmarkokban hasít. A számok ugye több mint meggyőzőek, de a rendszer valós működési sebessége is. Az S7 esetében akadással még a beköltözéskor sem találkoztunk, viszont az S7 Edge-nél is tapasztalt melegedéssel igen, annak ellenére, hogy a műveletre itt nem terheltünk rá még gyorstöltéssel sem. A teljesítménytesztek alatt szintén jellemző volt némi langyosodás, a készülék hőmérséklete viszont rekord sebességgel normalizálódott, ami a folyadékhűtéses megoldás fényében azért nem annyira meglepő, viszont kellemes tulajdonság. Grafikailag kevésbé megterhelő játékok esetében például hosszútávon sem melegszik ki a munkában, maximum a kezünk hőmérsékletéhez igazodik, ami az üveg és a fém hővezetési jellemzőinek akár csak felületes ismeretében szintén nem egy meglepő fordulat.

A cikk még nem ért véget, kérlek, lapozz!