Elindult a gyártás a Samsung 3 nm-es node-ján

Ilyen csíkszélességű mobilchipre túl hamar viszont ne számítsunk.

Hirdetés

Hatalmas a harc a dél-koreai Samsung és a tajvani TSMC között a legfejlettebb chipek gyártásáért, és kétségtelenül nagy a presztízse egy-egy új node bevezetésének, ha az komolyabb technológiai előrelépéseket és végső soron nagyobb teljesítményt ígér. 4 nm-en idén csaptak össze a felek, és a Samsung már meg is indította a korai gyártást 3 nm-es GAA (gate-all-around) node-ján, ami a megszokott FinFET technológiát MBCFET-re cseréli (multi-bridge-channel FET). Az elsőgenerációs node akár 45%-kal is csökkentheti a fogyasztást az egyik 5 nm-es Samsung node-oz viszonyítva, illetve 23%-kal növelheti a teljesítményt, miközben 16%-kal csökken az egységnyi felület.

Készül már a második generációs 3 nm-es node is, ami a fogyasztási előnyt 50%-ra, a teljesítményt pedig 30%-ra növelheti, 35%-os zsugorodással. Nem árulta még el a Samsung, hogy mely lapkák készülnek először az első generációs GAA megoldásán, a TheElec szerint mindenesetre nem mobilchipek: az alacsony kezdeti kihozatal miatt egyelőre a kínai PanSemi bitcoin bányász lapkamegrendeléseit teljesítheti a Samsung, a mobilos megoldások pedig később térhetnek át valamelyik 3 nm-es node-ra.


[+]

A SamMobile megjegyzi: noha a Qualcomm épp a Samsung 4 nm-es node-jának alacsony kihozatala miatt adott le nagyobb megrendelést a TSMC-nek (ott készül a Snapdragon 8+ Gen 1), az amerikai félvezető óriás mégis érdekelt a Samsung friss megoldásában. A következő generációs Qualcomm csúcslapka mellett az Exynos 2200-at váltó csúcshardver is érdekelt lehet a 3 nm-es technológiában - persze addig el kell jutni a tömeggyártásig és a lehető legelőnyösebb kihozatalig. Mindeközben ellentmondó információkat hallani, hogy lesz-e Exynos 2300 és megkapja-e a Galaxy S23, az idei Samsung lapka startja ugyanis nem volt hibátlan.

Előzmények

Hirdetés