Hirdetés

Készen áll a Samsung a „Galaxy S7” korai startjára?

Hirdetés

Idén a Samsung high-end mobilkészülékei rendre a saját tervezésű és gyártású Exynos 7420-as SoC-vel lettek felszerelve, mivel a házi fejlesztésű, 14 nanométeres csíkszélességű FinFET gyártástechnológia komoly előnyt élvez a TSMC 20 nanométeres node-jával szemben, amellyel a túlmelegedő Snapdragon 810-et gyártják. A négy Kyro processzormaggal és az Adreno 530-as IGP-vel felszerelt Snapdragon 820 azonban már a Samsung gyártósorairól gördülhet le a 14 nanométeres FinFET LPP technológia alapján, így Galaxy S6 folytatása részben erre a megoldásra hagyatkozhat az eddigi információmorzsák szerint.

Samsung Galaxy S6 vs. Samsung Galaxy S6 edge
Állítólag fele-fele arányban süvíthet Snapdragon 820-as vagy Exynos 8890-as lapkakészlet a Galaxy S6 és S6 edge folytatásában

Friss sajtóértesülések azt is tudni vélik, hogy nagyjából fele-fele arányban fog a Snapdragon 820 és a bejelentés előtt álló Exynos 8890 a „Galaxy S7” készülékeken osztozkodni, és mivel koreai források szerint az utóbbi gyártása a vártnál korábban, máris megkezdődött, a szóban forgó csúcskészülék már januárban bemutatkozhat és februárban a polcokra kerülhet. Azt persze a G For Games is megjegyzi, hogy mindez továbbra is spekuláció a különféle publikációk részéről, mindenesetre, néhány várakozásoktól elmaradó negyedév és a Note5 korábbi premierje után elég hamar felröppentek a pletykák, miszerint a Galaxy S7 is a korábbiaknál hamarabb érkezik, meg sem várva a február végi MWC kiállítást, amely 2015-ben otthont adott a Galaxy S6 és az S6 edge nagyszabású bemutatójának.

Hirdetés

Azóta történt

Előzmények

Hirdetés