Évek óta várja a szakma és a Samsung közössége, hogy a márka teljesítményben és fogyasztásban is méltó ellenfelet állítson a legjobb Apple és Qualcomm lapkáknak, ez pedig 2026-ban megtörténhet. A New Daily Korea szerint annyira előrehaladott állapotban folyik a Samsung 2 nm-es gyártósorainak optimalizálása, hogy megkezdődött rajtuk az Exynos 2600 próbagyártása. Ne keverjük össze ezt a Galaxy Z Flip7-be várt, 3 nm-es Exynos 2500-zal: az utóbbi tömeggyártása állítólag végre zökkenőmentes, és a kihozatal átlépte az 50%-ot.
A Galaxy S24 Exynos 2400-zal került itthon piacra, a folytatása Snapdragonnal [+]
Saját forrásaitól @OreXda úgy hallotta: már a 2 nm-es gyártás is 40%-os kihozatalnál jár, ami örömhír hosszú hónapokkal az arra pályázó Galaxy S26 család premierje előtt, és a tech leakernek számadatai is vannak a teljesítményt illetően. Az Exynos 2600 2 950 ponttal számolhat egyszálas és 10 200 ponttal többszálas Geekbench 6 teszten. A Galaxy S25 Ultra a Snapdragon 8 Elite-tel nálunk 3 152 és 10 022 pontot ért el, a Snapdragon 8 Elite 2 Digital Chat Station szerint a 4 000 és a 11 000 pontot is meghaladhatja. Az Exynos 2600 5 800 pont körül guríthat Wild Life Extreme 3D tesztben, nálunk az S25 Ultra 6848 ponton végzett.
🚨ERROR REPORT🚨
— Connor/코너/コナー (@OreXda) June 17, 2025
The E2600 expected score has been miscalculated with the condition of 10% mass production yield.
I apologize for false reporting, and fixed to 40% (current Samsung 2nm yield)
Geekbench 6
Single-Core: ~2950
Multi-Core: ~10,200
3DMark / GFX : Same as result https://t.co/IDtLqbRJXV
Manapság egyébként már nem a pontszámokon van a hangsúly (legalábbis nem azokon kellene legyen), hanem a hatékonyságon. Amennyiben a Samsung 2 nm-es node-ja alacsonyabb fogyasztást és hőtermelést garantál az Exynos 2600-nak, mint a TSMC N3E gyártósorai a Snapdragon 8 Elite 2-nek, a mindennapokban a Samsung lapka felé billenhet a mérleg nyelve. A Samsung ugyanakkor piactól és modelltől teheti függővé, hogy melyik telefon és hol nap házi fejlesztésű, avagy Qualcomm chipsetet.
