Kiélezett technológiai verseny folyik a Taiwan Semiconductor Manufacturing Company és a dél-koreai Samsung Electronics félvezető üzletága között az előremutató gyártástechnológiák és csíkszélességek tekintetében, és gyakran megesik, hogy egymástól happolnak el megrendelőket, lásd az Apple vagy a Qualcomm chipjeit. Mindkét vállalat az idei évben gördítheti le az első komponenseket 5 nm-es, EUV litográfiát használó node-jukról, a Patently Apple szerint a TSMC pedig annyira jól áll, az az Apple A14 SoC kísérleti gyártása után áprilisban megindulhat a tömeggyártás is.
A TSMC egyik üzeme (forrás: AnandTech) [+]
Az oldal 1,8x-os tranzisztorsűrűségről, 15%-os teljesítménynövekedésről és 30%-kal kisebb fogyasztásról ír nem pontosított, 7 nm-es node-hoz viszonyítva. Az Apple A14 köthet ki az iPhone 12 családban. A kínai Tianji Media Group szerint az új gyártósorok kétharmadára tart igényt az Apple, míg a maradékból gazdálkodhat például a Huawei HiSilicon részlege, a Kirin 1020 pedig akár 50%-os generációs teljesítménynövekedést hozhat. A szakma a Mate 40-et várja elsőként a nevezett SoC-vel, az új iPhone-okhoz hasonlóan valamikor ősszel.
A Samsung hatalmas üzemei a dél-koreai Hwaseongban (forrás: AnandTech) [+]
A Samsung se pihen babérjain: a vállalat hwaseongi V1 létesítményében megkezdték a tömeggyártáshoz szükséges berendezések telepítését, a szokásos tesztek után pedig június végétől indulhat meg a tömeggyártás, írja a SamMobile. Az új chipek 25%-kal kisebbek lehetnek a 7 nm-es EUV node-hoz viszonyítva, a Qualcomm X60 5G modem chipje pedig már ezt a technológiát használhatja. A Samsung egyébként már megkezdte a gyártást 7, illetve 6 nm-es EUV litográfiát használó node-jain, írja a DeviceSpecifications, az 5 nm pedig nem sokáig lesz a két nagy félvezető óriás legfejlettebb megoldása: már a 3 nm-es csíkszélesség előkészítésén munkálkodnak.
