Hirdetés
-
Spyra: akkus, nagynyomású, automata vízipuska
lo Type-C port, egy töltéssel 2200 lövés, több, mint 2 kg-os súly, automata víz felszívás... Start the epic! :)
-
2024 - Íme a 20. héten megjelenő játékok listája
gp Az elkövetkező napokban többek között érkezik a Ghost of Tsushima PC-s kiadása.
-
Meglepő lesz az okostévékre szánt X applikáció
ph Nem a szöveges posztokra helyezik a hangsúlyt, hanem a videókra.
Új hozzászólás Aktív témák
-
Aucor
senior tag
Kész, vége, elindult a káosz...
Persze mindegy, hogy minek nevezik, lehet az kiskutya is, csak jó legyen.
-
Petykemano
veterán
konkrét infók hiányában nehéz megítélni, hogy a SAmsungnak igaza van-e vagy sem.
Az Intel - elvileg - nem csak hasraütésszerűen igazított az elnevezésein, hanem (névleges) tranzisztorsűrűség alapon hozzáigazította azokat a TSMC és Samsung (névleges) számaihoz. Lehet, hogy praktikusabb lenne a régi ma már csak fantázianevekről áttérni inkább a Mtr/mm2 alapúra.Ez persze még mindig keveset mond el egy gyártástechnológiáról
- mert lehet különbség a fogyasztásban
- elérhető frekcenciában
- és különböző libraryk használatlával lehet a névlegesnél sokkal kevésbé, esetleg talán picit sűrűbben is rakni a tranyókat.Tehát akár az is lehet, hogy a Samsung nem kamuzik és tranzisztorsűrűség alapon ez a 4LPX tényleg van olyan jó, hogy már be lehet sorolni a 4-es számmal illetett kategóriába.
Ne felejtsük el, hogy - Nvidia/AMD gpuk alapján - a Samsung 10LPP-ből fejlesztett úgynevezett 8nm-es (8N) gyártástechnológiája sűrűség tekintetében nagyon közel van a TSMC N7-éhez. Más kérdés, hogy a tranzisztorok fogyasztása milyen.Tehát a Samsung ott lehet lókötő, hogy a 4LPX van olyan sűrű, mint a TSMC N4, de mivel valójában eredetileg 7LPP-ből eredeztetett fejlesztés, ezért energiahatékonyság tekintetében nem veszi fel a versenyt.
Egyébként a Samsung sajnos elég sokat kavart a 7-5-4 elnevezésekkel eddig is.
2019:
ITt még 7-6-5-4
2021:
itt már nincs 6, vagy már 5 és a 4 külön branch
Találgatunk, aztán majd úgyis kiderül..
-
Abu85
HÁZIGAZDA
válasz Petykemano #2 üzenetére
A 4LPX egy olyan half-node, aminek az alapja a 7 nm-es eljárás. Az igazi 4 nm-es holmija a Samsungnak full-node, és úgy bő 50%-kal jobb paraméterekkel bír, mint az 5 nm-es LPP, amitől csak egy hangyafasznyit különbözik a 4LPX. Tehát technikailag nincs igaza a Samsungnak. Marketingben viszont úgy vannak vele, hogy ha az Intel hazudhat, akkor ők is, és ennyi.
Az Intel 4-en készülő Loihi 2 tranzisztorsűrűsége 67 millió tranyó/mm2. Ez nagyjából megfelel annak, amit a Samsung és a TSMC tud pakolni a 7 nm-es eljárásaiba, egy hasonlóan egyszerű áramkörrel. És az Intel 4 eredetileg 7 nm-ként volt besorolva. Szóval az Intel hasütésszerűen hozta meg ezeket a számokat, ahogy most a Samsung is.Senki sem dől be a hivatalos szóvivőnek, de mindenki hisz egy meg nem nevezett forrásnak.
-
Alogonomus
őstag
válasz Petykemano #2 üzenetére
-
Abu85
HÁZIGAZDA
De az nyilván ezeknek a szakembereknek belefér, hogy az egyik 4 nm-esnek mondott Samsung node képességei leginkább a 6 nm-es TSMC node-hoz hasonlíthatók, míg a másik kettő, valóban 4 nm-es node képességei jelentősen jobbak, valamennyivel az 5 nm-es TSMC node előtt vannak.
Ha ezeknek a szakembereknek lenne bármi beleszólása, akkor se az Intelét, se a Samsungét nem engedték volna. De mivel nincs, így az egyik cég hazugsággal követi le a másik cég hazugságát.
[ Szerkesztve ]
Senki sem dől be a hivatalos szóvivőnek, de mindenki hisz egy meg nem nevezett forrásnak.
-
Abu85
HÁZIGAZDA
Hát ki nevezte át a gyártástechnológiáit?
#8 Petykemano : Az Intel 7 az ugye a 10 nm, és arra van egy olyan adat, hogy a Spring Hill, ami ugye az Intel 10 nm-es node-ján készül 35 millió tranyó/mm2-es dizájn. Ez nagyjából megfelel a TSMC 12 nm-es node-jának. A 7 nm-es TSMC-től mérföldekre van. Nagyrészt az Intel gondjai a szerverpiacon abból erednek, hogy iszonyatosan messze vannak a gyártástechnológiáik attól, amit a TSMC tud biztosítani az AMD-nek, és ezen nyilván semmit sem segített, hogy a 10 nm-t átnevezték Intel 7-nek.
[ Szerkesztve ]
Senki sem dől be a hivatalos szóvivőnek, de mindenki hisz egy meg nem nevezett forrásnak.
-
Petykemano
veterán
válasz Alogonomus #5 üzenetére
Azért az 51,5 és a 45,1 közötti 14% nem kis különbség.
Te miről beszélsz? a 10nm és 7nm, valamint a 7nm és 5nm között ~70%-os tranzisztorsűrűség-különbségek vannak.
Az a 14% pont megfelel az elnevezések közötti 1nm differenciának, vagy másként fogalmazva a tényleges tranzisztorsűrűség közötti differenciát jól jellemzi az elnevezések közötti "1nm" különbség.
Az a 14% ahhoz képest, hogy a 8N valójában egy 10nm-es node továbbfejlesztése egészen közel van a 7nm-hez.(Nyilván a MTR/mm2 eredmények persze nem függetlenenek a választott librarytól. Az AMD által elért tranzisztorsűrűség sokkal kevésbé közelíti meg a node névleges sűrűségét, mint az Nvidia esetében.)
Találgatunk, aztán majd úgyis kiderül..
-
Abu85
HÁZIGAZDA
válasz Petykemano #10 üzenetére
Feleslegesen hasonlítgatod össze a nyers adatokat, mert azok például a TSMC-nél gyűrűs oszcillátorra vonatkozó értékek. Egy kereskedelmi lapka komplexebb.
Senki sem dől be a hivatalos szóvivőnek, de mindenki hisz egy meg nem nevezett forrásnak.
-
#95462144
törölt tag
Azt hiszem jövőre tényleg fordul a kocka és MTK-s terméket lesz érdemes választani a QC helyett. A QC-nak nem tetszett, hogy árat emeltek a TSMC-nél illetve nagyon az Applet helyezték előtérbe. De legalább lesz normális alternatíva. Viszont így borítékolható is a lemaradásuk, már előre. Azonos csíkszélességen is gyérebb a Samu node, hát még így...
[ Szerkesztve ]
-
Alogonomus
őstag
válasz Petykemano #10 üzenetére
Arról beszélek, hogy a "sűrűség tekintetében nagyon közel van" állításod sántít, mert a 14% pontosan mutatja, hogy a 8N és az N7 technológia a sűrűség tekintetében nincs nagyon közel. Persze lehet szubjektíven "nagyon közel" aránynak tekinteni a 14%-ot, de attól az még valóban egy fél generációnyi különbség.
-
Busterftw
veterán
TSMC es a Samsung.
Tobb pelda is van erre.A TSMC 12nm tranzisztor surusegben 33.8, miert hivta 12nm-nek, ha az Intel 14nm jobb ertekkel bir?
De ha jol tudom a Samsung 8nm is el van maradva az Intel 10nm-tol, miert hivta 8-nak?Ehhez csak csatlakozott az Intel es mindenki csinalja tovabb.
-
Abu85
HÁZIGAZDA
válasz Busterftw #14 üzenetére
Az Intel 14 nm-es node-ja nem bír jobb értékekkel, mivel az erre épülő lapkák, amikor még megadták a tranyószámot, 15 millió tranyó/mm2-rel dolgoztak.
Itt azt keveritek össze, hogy az Intel hoz egy adatot egy szimpla gyűrűs oszcillátorról, aminek a töredékét tudja egy komplex lapkaként az adott node. Ez jól látszik amúgy a TSMC korábbi adatainál is, mert régen csináltak egy ARM tesztlapkát és egy gyűrűs oszcillátort. Utóbbival mindig legalább dupla akkora volt a tranyósűrűség, mivel a gyűrűs oszcillátor egy jól skálázható elem.
A valóság az, hogy itt nem a TSMC és a Samsung füllent, és ez jól ellenőrizhető azokkal a lapkákkal, amelyekre meg van adva a tranzisztorszám. Nyilván az Intel okkal nem adja meg mindre, mert ugye nem nagyon akarják ők, hogy ezeket hasonlítgassák a TSMC és a Samsung node-ok valós lapkáinak tranzisztorszámához. Legalább másfél generáció hátrányuk van itt.[ Szerkesztve ]
Senki sem dől be a hivatalos szóvivőnek, de mindenki hisz egy meg nem nevezett forrásnak.
-
Busterftw
veterán
Ott meg ez van.
A marketing szamok alakulasabol egyertelmuen latszik, hogy ki kezdte a fullentest.
Eleve a Samsung es a TSMC kezdte hozni azokat a szamokat, amik elvileg nem is leteznek.
Ezen valtoztatott az Intel is most, csak beallt a sorba.Ez a valosag. Ez persze nem jelenti azt, hogy az Intel nincs lemaradasban.
-
Abu85
HÁZIGAZDA
válasz Busterftw #16 üzenetére
Hol? Én hoztam adatokat valós lapkákból. Az alapján a 14 nm-es Intel node még a 16 nm-es TSMC node-ot sem igazán közelíti meg. Ha úgy érzed, hogy ez nem igaz, akkor hozzál bizonyítékot rá egy valós lapkáról, ne egy gyűrűs oszcillátorról.
Senki sem dől be a hivatalos szóvivőnek, de mindenki hisz egy meg nem nevezett forrásnak.
-
kalimist
aktív tag
Fogyasztás/energiahatékonyság tekintetében a Samsung 5LPE rosszabb paraméterekkel bír, mint a TSMC N7. Snapdragon 888-nál már a tranzisztorszám sincs feltüntve (TSMC N7 SD865-nél még volt) tehát ebből arra lehet következtetni, hogy a tranzisztorsűrűség is elmarad.
Majd esetleg a 3GAE megközelíti a TSMC N5 paramétereit 2 év múlva. -
Abu85
HÁZIGAZDA
A Samsungnál az 5LPE az egy 7 nm-es node half-node-ja. Eközben a TSMC-nél az 5 nm egy full node. A Samsung majd a 4LPE-ben hoz újra full node-ot.
A Samsung-féle 3GAE az messze lekörözi a TSMC 3 nm-jét is, majd a TSMC 2 nm-je tud vele mit kezdeni. Ez a GAAFET előnye. A TSMC még megpróbálkozik a FinFET-tel 3 nm-en, ami már nagyon a működőképesség határa. Korábban 4 nm-re mondták azt, hogy tovább nem skálázódik.
[ Szerkesztve ]
Senki sem dől be a hivatalos szóvivőnek, de mindenki hisz egy meg nem nevezett forrásnak.
-
Busterftw
veterán
Mi az hogy hol? Linkeltem, de meg a Google is ezt dobja.
Pont errol van szo itt.A TSMC rep sem 15 milliot ir, hanem 18-at az elso 14nm chiprol. Akkor mi a valos?
"to stress the difference between talking about a chip’s transistor density and this metric, which is designed to assess the capabilities of a manufacturing node. “Simply taking the total transistor count of a chip and dividing by its area is not meaningful because of the large number of design decisions that can affect it–factors such as cache sizes and performance targets can cause great variations in this value"
"Az alapján a 14 nm-es Intel node még a 16 nm-es TSMC node-ot sem igazán közelíti meg."
TSMC 16nm 28.2 MTr/mm² irnak, az hol jobb mint a 37.5?De vannak forrasok amik 43.5-re teszik (gondolom a +++++) az Intel 14nm-et.
El kene mar ezt engedni, a nem letezo neveket a TSMC es a Samsung kezdte, amiknek mar koze nincs a valos nm-hez mar tobb evtizede. (3D)
-
Petykemano
veterán
válasz Busterftw #20 üzenetére
Borítékolom a választ Abutól:
"Ezek csak névleges értékek, amiket gyűrűs oscillátoron mértek"És abban Abunak igaza van, hogy egy ideje a valós intel chipek TR mennyisége nem ismert, és így nem lehet valós MTR/mm2 értéket számolni.
De hát gondolom az össze bérgyártó névleges értéke gyűrűs oscillátoron mért eredmény.
Tehát szerintem az Intel részéről ez egy korrekt korrekció volt:A tényleges lapkák tranzisztorsűrűsége meg sokmindentől függ. Biztos nem mindegy, hogy milyen elemből mennyit pakolsz és az sem, hogy milyen library-t használsz
Az Apple lapkái például nagyon megközelítették a TSMC névleges sűrűségét 7nm-en.
Az AMD ~95 helyett 40-60 között mozgott. De láthatod, hogy csak SRAM-ot tartalmazó v-cache lapkák esetén majdnem kétszer annyi kapacitást tudtak belerakni ugyanakkora területbe.Én persze csak egy hülye laikus vagyok és Abu biztos kétszer annyi információval rendelkezik, de nekem nem tűnik úgy, hogy abban az értelemben le lennének maradva, hogy amit 7nm kategória (Intel 7) alatt árulnak az valójában másfél generációval elmarad ahhoz képest, amit a TSMC/SS ugyanezen kategóriában kínál.
Az viszont igaz, hogy eközben a TSMC már 1 éve tömeggyárt N5-ön és jövőre érkeznek termékek N4-en, miközben az intelnél még csak most pörög föl a 7nm-es kategória. Tehát így értelmezve a másfél generációs lemaradás szerintem helytálló megállapítás.
Én továbbra is azt gondolom, hogy a Samsung úgy játszik a besorolásokkal, hogy azt azért - persze gyűrűs oscillátoron mérve - alá tudja támasztani MTR/mm2 értékekkel.
Viszont minden más aspektusból a Samsung gyártástechnológiája rosszabb:Itt van egy kis összehasonlító táblázat
A középső 2 sort érdemes nézni ahol a TMSC N6-on készült middle magok ~200mhz-cel magasabb frekvencia mellett láthatóan kevesebbet fogyasztanak, mint a Samsung 5LPE gyártástechnológián készült magok.Találgatunk, aztán majd úgyis kiderül..
-
Busterftw
veterán
válasz Petykemano #21 üzenetére
Pontosan errol van szo, en is igy latom.
A 10nm EHS mar ott van a masfel eves TSMC 7nm-nel, ezert tortent most az igazitas.
Egyertelmuen a TSMC/Samsung szaladt elore a nevezektannal, hence ok kezdtek ezt.Ez persze nem jelenti azt, hogy az Intel nincs hatranyban, hiszen ahogy irod a TSMC mar tomeg gyart N5-on. Ha az Intel 4 kicsivel jobb lesz ennel, akkor megint jogos az atnevezes.
Persze ezt ugyanugy 2 ev lemaradassal hozza, de a nevezektan nem hazugsag vagy kamu.[ Szerkesztve ]
-
Petykemano
veterán
válasz Busterftw #22 üzenetére
"Egyertelmuen a TSMC/Samsung szaladt elore a nevezektannal, hence ok kezdtek ezt."
Igen, az ugrás egyértelműen a 20nm-nél történt.
Ha jól emlékszem (elnézést, ha tévedek) az Intel 32nm-e planar volt még, viszont a 22nm önmagában is kisebb tranzisztorsűrűséget jelentett, de már finfet.
A TSMC (és a SS) viszont planar 20nm-t csináltak, ami végül nagyon kevéssé volt használható. És akkor itt jött a varázslás, hogy a 20nm BEOL-ra húzták fel a Finfet FEOL-t (gondolom ez valami olyasmit jelent, hogy valójában a tranzisztorsűrűség nem nőtt, csak már nem planar tranzisztorokat használtak, hanem finfetet) és ezt aztán elnevezték 16/14nm-nek.Tehát valahogy úgy lehetett, hogy a tényleges tranzisztorsűrűség a következők között lehetett hasonló:
- intel 22nm és a TSMC/SS 16/14nm
- Intel 14nm és TSMC/SS 10nm
- Intel 10nm és TSMC/SS 7nm
és el is jutottunk a nevezéktan kiigazításának pontjára.Találgatunk, aztán majd úgyis kiderül..
-
Alogonomus
őstag
Jelenleg egyetlen nagyjából használható példa van a Samsung és TSMC technológiájával elérhető tranzisztorsűrűség összevetésére, és az az Ampere GPU.
A Samsung 8N technológiával készülő GA102 628 mm² területen tartalmaz 28,3 millió - Ampere architektúrának megfelelő - elrendezésű tranzisztorhalmazt.
A TSMC N7 technológiával készülő GA100 pedig 826 mm² területen tartalmaz 54,2 millió - Ampere architektúrának megfelelő - elrendezésű tranzisztorhalmazt.
Vagyis az - Ampere architektúrának megfelelő - tranzisztorhalmazból a Samsung 8N technológiával 45,1 MTr/mm² érhető el, a TSMC N7 technológiával 65,6 MTr/mm² érhető el.
A kvázi azonos design miatt ennél függetlenebb összehasonlítás valós használatra tervezett chipek esetén nem található.[ Szerkesztve ]
-
Petykemano
veterán
válasz Alogonomus #24 üzenetére
Az a baj, hogy ez önmagában nem mond el mindent, kizárólag ebből nem lehet a Samsung 8N és TSMC N7 gyártástechnológák képességeire nézve következtetéseket levonni.
Az AMD esetén ugyanis
Vega 20: 40MTR/mm2
CDNA1: 34MTR/mm2
Navi 10: 41MTR/mm2
Navi 22: 51MTR/mm2
Navi 23: 47MTR/mm2
Renoir: 63MTR/mm2
Cezanne: 59MTR/mm2Találgatunk, aztán majd úgyis kiderül..
-
Alogonomus
őstag
válasz Petykemano #25 üzenetére
Amiket felsoroltál, azok eltérő architektúrák, így eltérő kialakítást használnak. Amit én példaként hoztam, azok azonos architektúrák, szinte azonos kialakítással. Vagyis a GA100 és GA102 között az egyetlen lényeges különbség a különböző gyártási eljárás.
A gyártási technológián túl az egyetlen különbség a megcélzott piaci szegmens lehet, de az Ampere kártyák esetén ugyanúgy van még Tensor Core is mind a játékra szánt GeForce kivitelekben, ahogy az adatfeldolgozásra szánt Quadro és Tesla modellekben is. A jelenlegi árak mellett páran azért is "szemeznek" már az RTX Axxxx modellekkel, mert ugyanúgy alkalmasak játékra, és azoknak az ára annyira nem szállt el, így ár/teljesítmény szempontjából értelmes közelségbe kerültek egy RTX 3xxx kártyához.[ Szerkesztve ]
-
paprobert
senior tag
válasz Petykemano #25 üzenetére
Ráadásul az sem mindegy, hogy milyen megcélzott órajelre készül az adott termék.
Abu ezt felejti el rendre, hogy OK hogy az Intelnél a valódi termék nem hozza azokat a meghirdetett sűrűségi számokat amit a node-tól várnánk, cserébe van 5+ GHz, és akár 80W betáp egy magra. Szemben egy sűrű, alacsony órajeles, low power termékkel, mint amilyenek a mobil chipek, és a Zenek.Egyszerűen másra van optimalizálva a termék, persze hogy nagy lesz a differencia a valóságban. Gondolom az Intel ismeri annyira a gyártástechnológiáját, hogy eldöntse, ez a jobb trade-off az saját szemszögükből.
[ Szerkesztve ]
640 KB mindenre elég. - Steve Jobs
-
paprobert
senior tag
válasz Alogonomus #24 üzenetére
Azonos architektúra, de vajon azonos volt az elérendő cél is?
Biztos vagyok benne, hogy a TSMC-nél órajel sweetspot-ra optimalizálás volt a fő szempont, a kihozatal mellett.
A Samsung-nál inkább "sz*rból várépítés", azaz csúcsteljesítmény szétfeszelés árán is, még ha a node nem is annyira alkalmas rá. Ha a kihozatal a 4. helyre csúszik a fontossági sorrendben, annak a következménye alacsony(abb) sűrűség lesz.[ Szerkesztve ]
640 KB mindenre elég. - Steve Jobs
-
Alogonomus
őstag
válasz paprobert #28 üzenetére
A 65,6 MTr/mm² és 45,1 MTr/mm² között 45% különbség van. Elméletileg hasonló képességű 2 node között ekkora különbség akármilyen órajelre és kihozatalra történő optimalizálás mellett is irreálisan nagy lenne. Radásul a GA100-at is 400 wattos fogyasztásra tervezték, szóval annyira szuperhatékonynak sem tekinthető.
-
Petykemano
veterán
válasz Alogonomus #26 üzenetére
Én azt nem vitatom, hogy az a két Ampère lapka jó összehasonlítás. Csak azt mondtam, hogy a végleges tranzisztorsűrűség vonatkozásában nem csak a névleges sűrűség (a gyártástechnológia ) számít.
[ Szerkesztve ]
Találgatunk, aztán majd úgyis kiderül..
Új hozzászólás Aktív témák
- 3,5hónapos Apple iPhone 15 Pro Natural Titan 256GB (S23/S24+ és Ultra beszámítás)
- 4TB -os új bontatlan 3,5"-os HDD 1 év garancia Toshiba Surveillance S300
- SAMSUNG (MU-PE2T0R) -( KÉK) 2TB SSD KÜLSŐ MEREVLEMEZ ! UJ!
- ASUS TuF F15 - 15,6" 144Hz, I5-11400H, 16/512, RTX 3050-4, TBOLT4 +SZLA +GAR +ajándék egér,egérpad!!
- SAMSUNG (QE65S90CAT) 165CM 4K Q-OLED SMART 2024 PRÉMIUM ! AKCIÓ
- 9.0 , 9.5 és 12.7mm-es SATA HDD SSD notebook másod-winchester beépítő keret, caddy - MacBook-hoz is
- Celeron G5905, saját dobozában, garanciával
- M Key M.2 SSD PCI-E X4 Adapter kártya B-key M.2 NGFF SSD-hez 2.5"-os Sata Adapter ház
- Apple Watch Series 3 42mm 95% akku
- iPhone 13 128GB Starlight - Független -
Állásajánlatok
Cég: Alpha Laptopszerviz Kft.
Város: Pécs
Cég: Ozeki Kft.
Város: Debrecen