- Xiaomi 13T és 13T Pro - nincs tétlenkedés
- Samsung Galaxy S23 Ultra - non plus ultra
- Milyen okostelefont vegyek?
- Xiaomi Mi 11 Ultra - Circus Maximus
- DIGI Mobil
- Apple AirPods Pro (2. generáció) - csiszolt almaságok
- Huawei Mate 10 Pro - mestersége az intelligencia
- iPhone topik
- Realme 8 - az igazi nyolcas
- uleFone Power
Hirdetés
-
Saját Redmi Note 13 Pro+ a világbajnok focicsapatnak (és indiai rajongóiknak)
ma Argentína nemzeti válogatottjának mezével díszítik az új Redmi különkiadást.
-
Dragon Ball: Sparking! Zero - Mester és tanítvány
gp Egyelőre még mindig nem kaptunk megjelenési dátumot a játékhoz.
-
Spyra: akkus, nagynyomású, automata vízipuska
lo Type-C port, egy töltéssel 2200 lövés, több, mint 2 kg-os súly, automata víz felszívás... Start the epic! :)
Új hozzászólás Aktív témák
-
Abu85
HÁZIGAZDA
A Samsungnál az 5LPE az egy 7 nm-es node half-node-ja. Eközben a TSMC-nél az 5 nm egy full node. A Samsung majd a 4LPE-ben hoz újra full node-ot.
A Samsung-féle 3GAE az messze lekörözi a TSMC 3 nm-jét is, majd a TSMC 2 nm-je tud vele mit kezdeni. Ez a GAAFET előnye. A TSMC még megpróbálkozik a FinFET-tel 3 nm-en, ami már nagyon a működőképesség határa. Korábban 4 nm-re mondták azt, hogy tovább nem skálázódik.
[ Szerkesztve ]
Senki sem dől be a hivatalos szóvivőnek, de mindenki hisz egy meg nem nevezett forrásnak.