- Új Beats fej- és fülhallgatók jelentek meg
- Fotók, videók mobillal
- DIGI Mobil
- Vodafone mobilszolgáltatások
- Vodafone-ra áttért Digi Mobilosok
- Digitális detox a Nokiától
- Xiaomi 12 - az izmos 12
- Huawei Watch GT 3 Pro - korlátolt szépség
- Milyen okostelefont vegyek?
- Apple AirPods Pro (2. generáció) - csiszolt almaságok
Hirdetés
-
Karácsonyfaként világíthat a Thermaltake új CPU-hűtője
ph Az ASTRIA 600 ARGB ráadásul a hűtési teljesítmény szempontjából sem szégyenkezhet.
-
Dragon Ball: Sparking! Zero - Mester és tanítvány
gp Egyelőre még mindig nem kaptunk megjelenési dátumot a játékhoz.
-
Agyi chipes gyártóba fektetett a kriptocég
it A Tether 200 millió dollárt fektet a Blackrock Neurotech agyi chipes vállalatba.
Új hozzászólás Aktív témák
-
Abu85
HÁZIGAZDA
válasz Petykemano #2 üzenetére
A 4LPX egy olyan half-node, aminek az alapja a 7 nm-es eljárás. Az igazi 4 nm-es holmija a Samsungnak full-node, és úgy bő 50%-kal jobb paraméterekkel bír, mint az 5 nm-es LPP, amitől csak egy hangyafasznyit különbözik a 4LPX. Tehát technikailag nincs igaza a Samsungnak. Marketingben viszont úgy vannak vele, hogy ha az Intel hazudhat, akkor ők is, és ennyi.
Az Intel 4-en készülő Loihi 2 tranzisztorsűrűsége 67 millió tranyó/mm2. Ez nagyjából megfelel annak, amit a Samsung és a TSMC tud pakolni a 7 nm-es eljárásaiba, egy hasonlóan egyszerű áramkörrel. És az Intel 4 eredetileg 7 nm-ként volt besorolva. Szóval az Intel hasütésszerűen hozta meg ezeket a számokat, ahogy most a Samsung is.Senki sem dől be a hivatalos szóvivőnek, de mindenki hisz egy meg nem nevezett forrásnak.
-
Abu85
HÁZIGAZDA
De az nyilván ezeknek a szakembereknek belefér, hogy az egyik 4 nm-esnek mondott Samsung node képességei leginkább a 6 nm-es TSMC node-hoz hasonlíthatók, míg a másik kettő, valóban 4 nm-es node képességei jelentősen jobbak, valamennyivel az 5 nm-es TSMC node előtt vannak.
Ha ezeknek a szakembereknek lenne bármi beleszólása, akkor se az Intelét, se a Samsungét nem engedték volna. De mivel nincs, így az egyik cég hazugsággal követi le a másik cég hazugságát.
[ Szerkesztve ]
Senki sem dől be a hivatalos szóvivőnek, de mindenki hisz egy meg nem nevezett forrásnak.
-
Abu85
HÁZIGAZDA
Hát ki nevezte át a gyártástechnológiáit?
#8 Petykemano : Az Intel 7 az ugye a 10 nm, és arra van egy olyan adat, hogy a Spring Hill, ami ugye az Intel 10 nm-es node-ján készül 35 millió tranyó/mm2-es dizájn. Ez nagyjából megfelel a TSMC 12 nm-es node-jának. A 7 nm-es TSMC-től mérföldekre van. Nagyrészt az Intel gondjai a szerverpiacon abból erednek, hogy iszonyatosan messze vannak a gyártástechnológiáik attól, amit a TSMC tud biztosítani az AMD-nek, és ezen nyilván semmit sem segített, hogy a 10 nm-t átnevezték Intel 7-nek.
[ Szerkesztve ]
Senki sem dől be a hivatalos szóvivőnek, de mindenki hisz egy meg nem nevezett forrásnak.
-
Abu85
HÁZIGAZDA
válasz Petykemano #10 üzenetére
Feleslegesen hasonlítgatod össze a nyers adatokat, mert azok például a TSMC-nél gyűrűs oszcillátorra vonatkozó értékek. Egy kereskedelmi lapka komplexebb.
Senki sem dől be a hivatalos szóvivőnek, de mindenki hisz egy meg nem nevezett forrásnak.
-
Abu85
HÁZIGAZDA
válasz Busterftw #14 üzenetére
Az Intel 14 nm-es node-ja nem bír jobb értékekkel, mivel az erre épülő lapkák, amikor még megadták a tranyószámot, 15 millió tranyó/mm2-rel dolgoztak.
Itt azt keveritek össze, hogy az Intel hoz egy adatot egy szimpla gyűrűs oszcillátorról, aminek a töredékét tudja egy komplex lapkaként az adott node. Ez jól látszik amúgy a TSMC korábbi adatainál is, mert régen csináltak egy ARM tesztlapkát és egy gyűrűs oszcillátort. Utóbbival mindig legalább dupla akkora volt a tranyósűrűség, mivel a gyűrűs oszcillátor egy jól skálázható elem.
A valóság az, hogy itt nem a TSMC és a Samsung füllent, és ez jól ellenőrizhető azokkal a lapkákkal, amelyekre meg van adva a tranzisztorszám. Nyilván az Intel okkal nem adja meg mindre, mert ugye nem nagyon akarják ők, hogy ezeket hasonlítgassák a TSMC és a Samsung node-ok valós lapkáinak tranzisztorszámához. Legalább másfél generáció hátrányuk van itt.[ Szerkesztve ]
Senki sem dől be a hivatalos szóvivőnek, de mindenki hisz egy meg nem nevezett forrásnak.
-
Abu85
HÁZIGAZDA
válasz Busterftw #16 üzenetére
Hol? Én hoztam adatokat valós lapkákból. Az alapján a 14 nm-es Intel node még a 16 nm-es TSMC node-ot sem igazán közelíti meg. Ha úgy érzed, hogy ez nem igaz, akkor hozzál bizonyítékot rá egy valós lapkáról, ne egy gyűrűs oszcillátorról.
Senki sem dől be a hivatalos szóvivőnek, de mindenki hisz egy meg nem nevezett forrásnak.
-
Abu85
HÁZIGAZDA
A Samsungnál az 5LPE az egy 7 nm-es node half-node-ja. Eközben a TSMC-nél az 5 nm egy full node. A Samsung majd a 4LPE-ben hoz újra full node-ot.
A Samsung-féle 3GAE az messze lekörözi a TSMC 3 nm-jét is, majd a TSMC 2 nm-je tud vele mit kezdeni. Ez a GAAFET előnye. A TSMC még megpróbálkozik a FinFET-tel 3 nm-en, ami már nagyon a működőképesség határa. Korábban 4 nm-re mondták azt, hogy tovább nem skálázódik.
[ Szerkesztve ]
Senki sem dől be a hivatalos szóvivőnek, de mindenki hisz egy meg nem nevezett forrásnak.
Új hozzászólás Aktív témák
- WoW avagy World of Warcraft -=MMORPG=-
- Processzorra való vizesblokk az ASUS ROG-os portfóliójában
- EA Sports WRC '23
- Új Beats fej- és fülhallgatók jelentek meg
- OLED TV topic
- Fotók, videók mobillal
- Tüzi: Geek-hatarozo
- Kupon kunyeráló
- NVIDIA GeForce RTX 3080 / 3090 / Ti (GA102)
- DIGI Mobil
- További aktív témák...
- Ryzen5 esport Gamer(16gb ddr4/m2 ssd/win10/Vega11)
- HP ProBook 430 G6, 13,3" FULL HD IPS, I5-8265U, 8GB DDR4, 256GB SSD, WIN 10/11, SZÁMLA, GARANCIA
- Dell Latitude 3420, 14" FULL HD IPS, I5-1145G7 CPU, 8GB DDR4, 256GB SSD, W11, Számla, Garancia
- Dell Latitude 7280, 12,5" FHD IPS Kijelző, I5-6300U, 8GB DDR4, 256GB SSD, WIN 10, Számla, garancia
- Lenovo ThinkPad X280, 12,5" HD Kijelző, I5-8250U CPU, 8GB DDR4, 256GB SSD, WIN 10/11, Számla, Garanc