- Milyen okostelefont vegyek?
- Samsung Galaxy A54 - türelemjáték
- Redmi Note 13 Pro 5G - nem százas, kétszázas!
- Xiaomi 14 Ultra - Leica hercegnő
- Mobil flották
- Realme 9 Pro+ - szükséges plusz?
- Samsung Galaxy S24 - nos, Exynos
- Fotók, videók mobillal
- Xiaomi Mi 11 Ultra - Circus Maximus
- Motorola Edge 40 neo - színre és formára
Hirdetés
-
Samsung Univerzum: Így ismerhető meg a Galaxy AI bármilyen telefonon
ma A Try Galaxy webalkalmazás kontrollált környezetben mutatja meg, mit tud a One UI 6.1-es rendszer és a mesterséges intelligencia.
-
Agyi chipes gyártóba fektetett a kriptocég
it A Tether 200 millió dollárt fektet a Blackrock Neurotech agyi chipes vállalatba.
-
Dragon Ball: Sparking! Zero - Mester és tanítvány
gp Egyelőre még mindig nem kaptunk megjelenési dátumot a játékhoz.
Új hozzászólás Aktív témák
-
Abu85
HÁZIGAZDA
válasz Busterftw #14 üzenetére
Az Intel 14 nm-es node-ja nem bír jobb értékekkel, mivel az erre épülő lapkák, amikor még megadták a tranyószámot, 15 millió tranyó/mm2-rel dolgoztak.
Itt azt keveritek össze, hogy az Intel hoz egy adatot egy szimpla gyűrűs oszcillátorról, aminek a töredékét tudja egy komplex lapkaként az adott node. Ez jól látszik amúgy a TSMC korábbi adatainál is, mert régen csináltak egy ARM tesztlapkát és egy gyűrűs oszcillátort. Utóbbival mindig legalább dupla akkora volt a tranyósűrűség, mivel a gyűrűs oszcillátor egy jól skálázható elem.
A valóság az, hogy itt nem a TSMC és a Samsung füllent, és ez jól ellenőrizhető azokkal a lapkákkal, amelyekre meg van adva a tranzisztorszám. Nyilván az Intel okkal nem adja meg mindre, mert ugye nem nagyon akarják ők, hogy ezeket hasonlítgassák a TSMC és a Samsung node-ok valós lapkáinak tranzisztorszámához. Legalább másfél generáció hátrányuk van itt.[ Szerkesztve ]
Senki sem dől be a hivatalos szóvivőnek, de mindenki hisz egy meg nem nevezett forrásnak.