Másodpercenként akár 12,8 GB (gigabyte) átvitelére is alkalmas RAM-ot mutatott be a Samsung, mely a DDR DRAM megoldásoknál nyolcszor fürgébbnek tűnik, miközben körülbelül 87 százalékkal alacsonyabb fogyasztással bír. A tavaly leleplezett LPDDR2 modulokhoz képest is négyszer fürgébb WIDE I/O DRAM az extrém átviteli sebességet 512 adatvezeték alkalmazásával érte el, míg a korábbi megoldások csupán 32 vonalat használtak az adatok átvitelére. Az adat és címbuszok, valamint a vezérlő és energia-menedzsment vezetékek miatt összesen 1200 lábbal rendelkező memóriachipek első, 1 Gb (gigabit) kapacitású példányai még 50 nanométeres gyártástechnikával készülnek, de a 2013-ban debütáló 4 Gb kapacitású példányok már 20 és 29 nanométer közötti eljárással készülhetnek. A rendkívül gyors, ugyanakkor a magas lábszám miatt komplex dizájnt igénylő Samsung WIDE I/O DRAM modulok mobiltelefonok mellett számítógépekben is elérhetőek lesznek.
