A Qualcomm sajtóközleményben jelentette be, hogy a dél-korei gyártóval fennálló évtizedes együttműködést kiterjesztve a Samsung 10 nanométeres FinFET gyártástechnológiáját alkalmazza következő csúcslapkájának gyártásakor. A Qualcomm Snapdragon 820/821 utódját szintén a Samsung node-ján, csak a Snapdragon 835 esetében 14 nanométer helyett 10 nm-es csíkszélességgel készítik. Az iparágban a Samsung jelentette be először a technológia tömeggyártásba vezetését. A Qualcommal való együttműködés eredménye az eddigi legkisebb és leghatékonyabb lapka lehet.

Apró lapkák, nagy tervek. [+]

A 14 nanométeres FinFET technológiához képest 30%-os növekedés érhető el a helytakarékosság szempontjából, tehát igen apró lesz, és közel 40%-os energiaigény-csökkenés mellett 27%-os teljesítménynövekedés. Ezek a számok mellesleg a Samsung saját tervezésű Exynos 8895-ös lapkájára is ugyanúgy jellemzőek, laborkörülmények között viszont a négy Mongoose mag 4 GHz-en hozza a fenti eredményeket a Snapdragon 3,6 GHz-re skálázott Kryo magjaival szemben. Cserébe a Qualcomm új chipsetje valóban fejlettebb gyortöltési szabványt integrál, így a Quick Charge 4.0 is hivatalossá vált. Noha az Exynos 8895-öt még nem jelentették be hivatalosan, mindkét lapkát jövő év első felében várhatjuk a készülékekben, a Qualcomm megerősítette, hogy a 835-ös egységek gyártása már folyamatban van.