Októberben érkezik a TSMC 3 nm-es node-ján várt Snapdragon 8 Gen 4, és a hardveres részletekben érdekelt olvasóink komoly része vár a gyenge hatékonyságú Gen 3 után egy olyan kiegyensúlyozottabb lapkát, mint amelyen a Gen 2 volt CPU és GPU terhelés alatt. Ehhez mondjuk egyszerre kell hozzon a gyártósori fejlődés kellő mértékű előrelépést, és a chiptervezőknek is a hatékonyságra kell fókuszálnia a zsebkészülékek esetében tulajdonképpen másodlagos nyers erő helyett, ám az első jelek nem feltétlenül erről tanúskodnak. A Snapdragon 8 Gen 4 tesztplatformja a minap Geekbench 6 teszten járt két 4,09 GHz-es teljesítménymaggal és hat 2,78 GHz-es takarékosabb egységgel, bár ezek nem feltétlenül tükrözik a végső órajeleket.
A 2884 egyszálas és 8840 többszálas pontszám mindenesetre tekintélyes előrelépés a Gen 3 2308 / 7351 pontjához (Red Magic 9 Pro), illetve a Gen 2 2065 / 5434 pontjához képest (Galaxy S23 Ultra), egyébként pedig az abszolút őserő nem jelenti azt, hogy a mobilgyártók nem foghatnák vissza a teljesítményt szoftveroldalon. Mindazonáltal, egy tökéletes világban a hűvös és kitartó működés kellene legyen az első számú szempont már a hardver tervezésekor, és akkor nem feltétlenül kellene hatalmas hőelvezető rendszerrel és az órajelek visszafogásával kordában tartani a motort, hogy ne essen szét a kaszni.
