A Samsung sajtóközleményben jelentette be a 11 nanométeres FinFET LPP node-ok üzembe helyezését, amelyek 15%-kal nagyobb teljesítményű és 10%-kal kisebb alapterületű lapkák gyártását teszik lehetővé a felső-középkategóriában jelenleg alkalmazott 14 nanométeres megoldásokkal szemben. A jelenleg 10 nanométeren készülő, prémium teljesítményű szetteket a jövőben 7 nanométeres gyártástechnológia váltja, a portfólió pedig 11, 10, 8 és 7 nanométeres lapkákra cserélődik a következő három évben, míg a 10-es gyártósor a középkategóriát szolgálhatja ki, amelyen feltehetően a Qualcomm új architektúrára épülő Snapdragon 670-es készlete is készülni fog.

[+]

Az új node-ok 2018 első félévében már tömegtermelésre állhatnak, az új központi feldolgozóegységek pedig feltehetően a Samsung A és J szériájában kerülhetnek először forgalomba. Ezzel egyidőben a 7 nanométeres FinFET LPP EUV berendezések üzembe helyezését is megerősítette a gyártó, amelyek új generációs, extrém hullámhosszú ultraibolya technológiával dolgozó nyomógépekkel teszik lehetővé a prémium kategóriás rendszerchippek gyártását. A tervek szerint ez a technológia egészen 4 nanométeres csíkszélességig csökkentheti a fizikai méreteket. A gyártás 2018 második felében kezdődhet. Az újdonságokról bővebben a Japánban megrendezésre kerülő Samsung Foundry Forum-on értesülhetünk szeptember 15-én.