A Samsung legújabb lapkájának teszteredményeiről már vannak információink, de az sem meglepő, hogy egyre gyakrabban merül fel a következő Galaxy S-sel együtt emlegetve. A gyártó első 10 nanométeres gyártástechnológiával készülő, magas teljesítményű, ugyanakkor energiahatékony SoC-ja valószínűleg az S8-ban fog debütálni, konkurálva a Qualcomm szintén 10 nanométeres Snapdragon 830-as megoldásával.
A laborkörülmények között 4 GHz-en működő big magok vélhetően 3 GHz-re limitálva teljesítenek majd szolgálatot, méghozzá igen alacsony energiafogyasztás mellett, ami legújabb információk alapján nem több, mint 5 watt. 30%-os teljesítménynövekedés mellett a képfeldolgozás is jelentősen, a források szerint 70-80%-kal javul. A lapka egymagos számítási kapacitását 2301 pontra taksálta a Geekbench, míg a többmagos teljesítmény egészen tisztes, 7019 pontot hozott. A Samsung eddigi legalacsonyabb csíkszélességű központi vezérlőegységére a gyakorlatban a jövő elején számíthatunk.