Elkészült a legújabb technológián alapuló memória egység, természetesen hol máshol, mint Koreában. A Samsung 4 gigabites OneNAND flash memóriája legfőképpen a harmadik generációs eszközökbe és a személyi számítógépekbe lett tervezve, mivel a fejlődő kameráknak és multimédiás szolgáltatásoknak egyre nagyobb és nagyobb helyre van szüksége.
A rendkívül kis méretű eszköz (11 x 13 x 1,4 mm) jelentősen kisebb helyet igényel mai társainál, és a 3,3 V fogyasztásból is sikerült majdnem a felét lefaragni, tehát mindössze csak 1,8 voltot fogyaszt. Az olvasási sebessége 108 MByte/s, ami megközelítőleg négyszer gyorsabb, mint a NAND-alapú, jelenlegi flash memóriák, az írási sebessége pedig 10 MByte/s, ami több mint 60-szorosa a NOR-alapú flash sebességének.
