Új hozzászólás Aktív témák

• #101986 arn félisten arn #101984

  Új Válasz 2024-03-08 22:01:57 #101986

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  arn

  félisten

  válasz arn #101984 üzenetére

  mar kezdtem lelkesedni, erre kb a nasa kellene a felhordasahoz...

  Az UV-sugárzás elleni védőbevonat nanorészecskékből áll, amelyek TiO2-ból származnak (az anatáz és a rutil ásványi formák keveréke, "Degussa P25" néven, a Sigma-Aldrichtől származó kereskedelmi keverék) és egy TEOS mátrixból, amit szintén a Sigma-Aldrich szállít. Először a TiO2 nanorészecskéket (körülbelül 20 μm-esek) a felületre helyezik. Ezt úgy érik el, hogy egy ultrahangos fürdő segítségével az etanollal összekeverik a porrá zúzott részecskéket, ezáltal egy 99,95% etanol és 0,05% TiO2 oldatot kapnak. Ezután egy ABS mintát egy 80 °C-os hőmérsékletű fűtőlemezre helyeznek, majd egy automatizált permetezőberendezés segítségével (SPL syringe pump - WPI), amelyet 2 ml/perc befecskendez, 17,5 cm-es távolságból és 1 bar nyomáson, minden mintánál 40 másodperces expozíciós idővel, felviszik a megoldást. Az etanol csak a nanorészecskék szállítását könnyíti meg, a fűtőlemez melege pedig biztosítja az etanol elpárolgását. Az automatizált permetezőberendezés lehetővé teszi, hogy a nanorészecskéket a lehető legegyenletesebb módon alkalmazzák.

  Ezen lépés után a nanorészecskéket egy vékony TEOS réteggel rögzítik (8. ábra (a) és (b)). A TEOS filmet az atmoszférikus plazma segítségével helyezik el, ugyanazzal a tolvajjal, amelyet a 2.2.2. alcímben leírtak. A bevonat elhelyezési folyamata a következőképpen történik: a prekurzort (TEOS) metilsziloxanban oldott állapotban egy üvegedénybe helyezzük szobahőmérsékleten. Először egy gázzal (O2, Ar vagy mindkettő keverékével) átszelik a segítségével, majd egy alumínium középpel ellátott koaxiális capillárison keresztül az argon gázon keresztül szállítják a forráshoz, amelynek kimenete a gyűrű alakú elektród végén van meghatározva. Lamináris áramlási feltételek mellett a tolvaj kialakítása biztosítja, hogy a gáz-prekurzor keverék a plazmajet kijáratának közelében kerül bevezetésre. Mindkét gázbevitel felszereltek tömegáram-szabályzókkal (BronkhorstMass-view). Kémiai szempontból ez a bevonatolási folyamat rendkívül stabil és gyors retikulációval jár. Összefoglalva, a folyamat a következő módon zajlik le: a prekurzor gázfázisban történő égetése során a metilcsoportok elégetődnek, és így csak a SiO csoportok kerülnek le a felszínre molekulaként. Ezeknek a csoportoknak a felülettel való ragasztásához csak a plazma illékony termékeinek jelenléte szükséges (OH-csoportok, CO2, CO stb.), amelyek azonnali retikulációt és stabil tapadást biztosítanak a felülettel (9. ábra). Fontos megjegyezni, hogy ezen bevonatolás után a TiO2 nanorészecskéket a TEOS-ban tartalmazzák, elvesztve a felület oxidációs képességét, és csak a fény szóródását szolgálják.

  [ Szerkesztve ]

  facebook.com/mylittleretrocomputerworld | youtube.com/mylittleretrocomputerworld | instagram.com/mylittleretrocomputerworld

Új hozzászólás Aktív témák