Új hozzászólás Aktív témák

• #146 Abu85 HÁZIGAZDA erdoke #79

  Új Válasz 2011-05-13 20:30:00 #146

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  Abu85

  HÁZIGAZDA

  válasz erdoke #79 üzenetére

  A gate first technológia adja a legtöbb előnyt a HKMG megvalósítások között. Akár 20%-kal kisebb tranzisztorsűrűség érhető el. Ezt a TSMC is elismeri, mert tudományosan bizonyított. A gond ott van, hogy 22 nm alatt már nagyon kevés tranzisztorkészlet bírja ki az 1000 fokos gyártási hőmérsékletet, vagyis a tervezés korlátozott. Ha ez nem lenne korlátozó tényező, akkor rá se néznénk a gate last megvalósításra, mert technikailag több a hátránya. Az előnye, hogy gyártható a legtöbb tranzisztorkészlettel, de a gyártása drágább és a viszonyított tranzisztorsűrűség is rosszabb.
  Az nem érdekes. Két éve is ez volt a terv. Az IBM, a Samsung és a GF összeállt a Common Platformban. A GF és a Samsung gate first technológiákon dolgozott, míg az IBM a háttérben fejlesztette a gate last node-okat. Ez egy egyszerű döntés volt, hiszen 32-28 nm-en még bőven van választási lehetőség a tranzisztorkészletben, így érdemes kiaknázni a gate first előnyeit. Ezért hasonlította Charlie a CP 28 nm-es technológiáját az Intel 22 nm-eséhez. A gate first előnyei ezen a csíkszélességen számottevőek. Persze ezek 22 nm-en eltűnnek, mert a gate last az egyetlen út.

  [ Szerkesztve ]

  Senki sem dől be a hivatalos szóvivőnek, de mindenki hisz egy meg nem nevezett forrásnak.

Új hozzászólás Aktív témák