- Telekom mobilszolgáltatások
- Samsung Galaxy S24 Ultra - ha működik, ne változtass!
- Samsung Galaxy Watch (Tizen és Wear OS) ingyenes számlapok, kupon kódok
- Motorola Edge 50 Pro - több Moto-erő kéne bele
- Eredeti dizájnnal tér vissza idén a Nokia 225 4G
- Honor 90 - modellalkat
- Volkswagen ID.7 menetpróba
- iPhone topik
- Samsung Galaxy Z Fold5 - toldozás-foldozás
- Garmin Forerunner 165 - alapozó edzés
Hirdetés
-
Egyelőre nem tarolja le a piacot a Vision Pro
ph Az Apple állítólag meg is felezte a várakozásait, hogy igazodni tudjanak a valós igényekhez.
-
AMD Radeon undervolt/overclock
lo Minden egy hideg, téli estén kezdődött, mikor rájöttem, hogy már kicsit kevés az RTX2060...
-
3 évig még biztosan nem rendelhetünk Xiaomi EV-t
it A következő 15-20 évben a Xiaomi a világ öt legnagyobb autógyártója közé akar kerülni, de a következő 3 évben még kizárólag Kínára koncentrál.
Új hozzászólás Aktív témák
-
Angel1981
veterán
Nincs benne meglepő; 2 évente váltás a csíkszélességben.
Aztán jön majd a 14 nm - tervek szerint 2015 végén.
A további tervek még nincsenek megerősítve. -
DemonDani
addikt
nem igazán tetszik, hogy full node-ot használnak... persze ok, ha nincs más.
NEM FIZETETT REKLÁM! >>armegoszto.hu<< Folyamatosan friss akciók.
-
szab.tam
nagyúr
rég óta meg akartam kérdezni....
nekünk, laikusoknak valaki elmagyarázhatná, hogy mi 20, (45, stb) nm ezeken?
ok, hogy csíkszélesség, de az mi?
a legkeskenyebb "járat" szélessége, amit "belesütnek", (fényképeznek, képeznek, stb.) a nagy, kerek szilícium ostyába?vagy valami más, fizikális jelemző?
és jól látom, hogy abba a nagy kerek izébe, (ostyába?), belesütnek több száz chip-re valót, és utána feldarabolják?
1 mondatban, konyhanyelven, hogy mi is megértsük.
[ Szerkesztve ]
fanless project: fourth gear......................................................................... http://prohardver.hu/teszt/interju_csucskonfig_passzivan_hutve/kezdetek.html
-
Cs_Laci
senior tag
Ez amúgy manapság nem egy triviális kérdés Egy angol cikk elég jól kifejti, de a lényegét megpróbálom leírni.
Régen a legkisebb még optikailag leképezhető és utána alakítható egység méretét jelentette. Máshogy fogalmazva eredetileg a legkisebb funkcióval bíró egység mérete volt ami általában a kapuelektróda szélességét jelentette egy MOS tranzisztor esetén.
Aztán már 350nm környékén elkezdett inkább csak egy elnevezés lenni, mert pl optikailag bár nem tudtak 380nm-nél keskenyebbet leképezni és feldolgozni, az eljárás végén a tranzisztor különféle trükkök segítségével úgy viselkedett mintha simán 350nm-el képezték volna le. Ez az eltérés azóta folyamatosan nőtt, főleg, hogy egy több 100nm-es hullámhosszú fénnyel kell leképezni 2x nm-t manapság.
Szóval manapság inkább az eljárásokat nevezik el, és nehezen köthető fizikai mérethez. Persze a különféle trükkökkel létrehozott funckcióval bíró legkisebb egységet méretét próbálják jellemezni vele valahogy.
Egyébként meg itt egy remek videó arról, hogy milyen lépések is vannak egy chipgyártás során. Itt látható az a cucc is amivel vagdosság a chipeket a végén. (10:00 körül)
[ Szerkesztve ]
-
naffeju
csendes tag
Valójában semmi sem 45, 40, 32, 28, 22 vagy 20 nanométeres ezeknél a gyártástechnológiáknál, hanem több követelményt kell teljesíteni annak érdekében hogy a félvezetőgyártók nemzetközi szervezte, az ISTR elismerje azt annak, és szakmai berkekben annak lehessen hívni. Amire az ISTR utal mikor 45-ös stb. generációs emleget, az a tranzisztorokhoz legközelebb eslő fémhuzalozási réteg (M1) sűrűsége, egészen pontosan az M1 huzalok sűrűségének -- a fele, ez egy jó közelítés az ültetési sűrűségre. .
Ez azt jelenti, hogy a fémhuzal adott pontjának távolsága a szomszédos fémhuzál azonos pontjának távolságához, per kettő. Ez egy jó becslés arra, hogy milyen sűrűséget tud elérni a gyártástechnológia a gyakorlatban. Valójában ennél vannak kisebb és sokkal nagyobb struktúrák is egy chipen. A kisebbek a tranzisztorok kapujának szélessége tud lenni, nagyobbak de közelítő léptékáűek a tranzisztor teljes hossza, a sokkal nagyobbak pedig a behuzalozott tranzisztorok közti teljes távolság, míg a magasabb rétegekben a fémhuzalok relatíve óriási vastagságúak a tranzisztorokhoz képest -- ez kell ugye a külvilággal történő érintkezéshez.
Azonos generációnak hívott (pl. 32 nanométeres), de különböző vállalatok gyártástechnológiái közt jelentős eltérésbeli különbségek lehetnek a különféle paraméterekben, mint a kapuhossz, M1 sűrűség, behuzalozott tranzisztorok legkisebb távolsága, SRAM cellák mérete, mert ezek függnek a felhasznált anyagoktól, berendezésektől, eljárásoktól, és a megkövetelt elektronikai jellemzők miatt a megcélzott felhasználási területtől is. A nagyobb frekvenciára/teljesítményre tervezett áramkörök tipikusan kevésbé sűrűek, a magas sűrűségűekre tervezettek kevésbé gyorsak vagy energiahatékonyak, szóval van sok paraméter, amivel játszani kell. Emiatt jó, ha egy gyártó meg tudja fizetni pl. a házon belüli gyártást, mert akkor a gyártástechnológiát az adott területre tudja optimalizálni -- pl. nagyteljesítményű processzorok, vagy ellenkezőleg, magas sűrűségű memóriachipek.
-
mikej95
aktív tag
Akkor a gyártástechnológia szélessége csak 1 dimenzióban adja meg a tranzisztor méretét? A trazisztor hossza és a sűrűségük pedig gyártótól függ?! Nem semmi.
Miket megtud az ember.
Nem ide tartozik, de az 4MD mért rakja olyan 'messze' az L3-at a magoktól? Mért nem tudja megoldani úgy mint az !ntel?Azt viszont nem tudják, hogy mi nem tudjuk azt, amiről ők úgy tudják, hogy tudjuk.'