Néhány nappal a Galaxy S III hivatalos premierje előtt mutatkozott be a Samsung Exynos mobil processzorcsaládjának első négymagos tagja, mely az elődjével teljesen azonos lábkiosztásával rendkívül leegyszerűsíti az átállást. A 32 nanométeres gyártástechnológiával készülő Exynos 4 Quad kapcsán a legfontosabb újítás, hogy a p és n típusú tranzisztorok kapuelektródái poliszilícium helyett különböző fémes anyagokból készülnek; mely mellett a source és drain elektródák között elhelyezkedő szilícium-dioxid réteget is hafnium-alapú, magas k állandójú dielektrikum váltja fel. A HKMG (High-K Metal Gate) néven is ismert eljárás révén az 1,4 Ghz-es maximális órajelen futó processzor fogyasztása az elődjénél kétszer nagyobb számítási teljesítménye ellenére is 20 százalékkal alacsonyabb lehet, mely az üzemidőre is jótékony hatással lesz. Hankil Yoon, a Samsung rangidős termékstratégiai alelnöke arra is rámutatott, hogy a sorozatgyártásban lévő Exynos 4 Quad processzorok a Galaxy sorozat következő sorozataiban is elérhetőek lesznek.