A Pennsylvaniai Egyetem kutatói arról számoltak be, hogy sikerült egy olyan új adattárolási eljárást kifejleszteniük, mely a jelenleg alkalmazott Flash memóriáknál ezerszer gyorsabban írható, az adatokat százezer évig biztonságosan őrzi és akár terabites nagyságrendű adattárolás is megvalósítható segítségével. Ritesh Agarwal , az anyagkutató csoport vezetőjének beszámolója alapján a körülbelül száz atomnyi átmérőjű germánium-antimon-tellurid szerkezet elektromos áram hatására képes váltani amorf és kristályos szerkezet között, melyek más, jól elhatárolható vezetési tulajdonsággal rendelkeznek ezáltal adattárolásra is alkalmas.
A gyártástechnológia egyszerűsége annak köszönhető, hogy alacsony hőmérsékleten fém katalizátorok segítségével a „nano-vezetők” önmaguktól 30 nanométer átmérőjű és kb. 100 nm hosszú szerkezetbe rendeződnek. Az első tesztek alkalmával 50 nanoszekundum alatt tudták írni a biteket, mely a jelen Flash memóriák sebességénél mintegy ezerszer gyorsabb, ráadásul az írási energia is kisebb, mindössze 0,7mW szükséges bitenként. A kutatás gőzerővel folyik, de várhatóan még akár 8 év is eltelhet mire eme technológia belophatja magát a midennapokba.
